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EVG®301特征使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進行高/效清潔單面清潔刷（選件）用于晶圓清洗的稀釋化學(xué)品防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程選件帶有紅外檢查的預(yù)鍵合臺非SEMI標(biāo)準(zhǔn)基材的工具技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：? 4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯我們在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。實際價格鍵合機國內(nèi)用戶

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前，通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后，將它們封裝成單獨的組件，然后將焊料引線施加到封裝上。 新疆鍵合機技術(shù)服務(wù)晶圓級涂層、封裝，工程襯底知造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：ZUI高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持

鍵合卡盤承載來自對準(zhǔn)器對準(zhǔn)的晶圓堆疊，以執(zhí)行隨后的鍵合過程。可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應(yīng)用。EVG®501/EVG®510/EVG®520IS是用于研發(fā)的鍵合機。晶圓鍵合類型■陽極鍵合■黏合劑鍵合■共熔鍵合■瞬間液相鍵合■熱壓鍵合EVG鍵合機特征■基底高達200mm■壓力高達100kN■溫度高達550°C■真空氣壓低至1·10-6mbar■可選：陽極，UV固化，650℃加熱器EVG鍵合機加工服務(wù)EVG設(shè)備的晶圓加工服務(wù)包含如下：■等離子活化直接鍵合■ComBond®-硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合■高真空對準(zhǔn)鍵合■臨時鍵合和熱、機械或者激光剖離■混合鍵合■黏合劑鍵合■集體D2W鍵合。 自動晶圓鍵合機系統(tǒng)EVG?560，擁有多達4個鍵合室，能滿足各種鍵合操作；可以自動裝卸鍵合室和冷卻站。

EVG®850DB自動解鍵合機系統(tǒng)全自動解鍵合，清潔和卸載薄晶圓特色技術(shù)數(shù)據(jù)在全自動解鍵合機中，經(jīng)過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機械剝離。使用所有解鍵合方法，都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設(shè)備晶圓。特征在有形和無形的情況下，都能可靠地處理變薄的、彎曲和翹曲的晶片自動清洗解鍵合晶圓程序控制系統(tǒng)實時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面適用于不同基板尺寸的橋接工具功能模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）高達300毫米高達12英寸的薄膜面積組態(tài)解鍵合模塊清潔模塊薄膜裱框機選件ID閱讀多種輸出格式高形貌的晶圓處理翹曲的晶圓處理 鍵合機晶圓對準(zhǔn)鍵合是晶圓級涂層、封裝，工程襯底zhi造，晶圓級3D集成，晶圓減薄等應(yīng)用很實用的技術(shù)。三維芯片鍵合機現(xiàn)場服務(wù)

EVG服務(wù)：高真空對準(zhǔn)鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械或者激光剖離、黏合劑鍵合。實際價格鍵合機國內(nèi)用戶

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售，每個平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準(zhǔn)精度的應(yīng)用，例如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征：在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200、300毫米ZUI高數(shù)量或過程模塊8通量每小時ZUI多40個晶圓處理系統(tǒng)4個裝載口特征：多達八個預(yù)處理模塊，例如清潔模塊，LowTemp?等離子活化模塊，對準(zhǔn)驗證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM（設(shè)備前端模塊）實現(xiàn)ZUI高吞吐量光學(xué)邊緣對準(zhǔn)模塊：Xmax/Ymax=18μm3σ 實際價格鍵合機國內(nèi)用戶