整流器的基本要求：
1．輸入電流總諧波失真（THD）（總諧波失真THD：交流電流的諧波電流有效值占基波分量有效值的百分比）
6脈沖整流器的輸入電流的THD在6脈沖整流器的滿載輸入電流時應小于33%；采用輸入濾波器可將輸入電流失真減小到10%。
12脈沖整流器的輸入電流的THD在12脈沖整流器的滿載時應小于10%，采用輸入濾波器可將輸入電流總諧波失真減小到5%。
2．交流輸入電流限制
整流器/充電機應有交流輸入電流限制電路，一般將交流輸入電流限制到滿載輸入電流的115%。在發(fā)電機組供電時（此時整流器會接收到一個外部低電壓信號，據(jù)此判斷為是發(fā)電機組供電） 奧凱電氣提供周到的解決方案，滿足客戶不同的服務需要。重慶橋式整流器
可控硅整流器的特點：是“一觸即發(fā)”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導通?？刂茦O的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導通，卻不能使它關斷。那么，用什么方法才能使導通的晶閘管關斷呢?使導通的晶閘管關斷，可以斷開陽極電源(圖3中的開關S)或使陽極電流小于維持導通的**小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那么，在電壓過零時，晶閘管會自行關斷。
自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結(jié)，對外有三個電極：層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性 重慶橋式整流器奧凱電氣完善的售后服務，讓客戶買的放心，用的安心。
可控硅整流器是一種常用的電力半導體電子器件，具有控制開關數(shù)千瓦乃至兆瓦級電功率的能力.從結(jié)構上說，它是 一種反向截止三極管型的閘流晶體管，由三個PN結(jié)(PN-PN四層)構成.器件的外引線有陰極、陽極、控制極三個電極，典型大電流可控硅整流器的示意剖面見圖.器件的反向特性(陽極接負)和PN結(jié)二極管的反向特性相似;其正向特性，在 一定范圍內(nèi)器件處于阻抗很高的關閉狀態(tài)(正向阻斷態(tài)，即伏安特性一象限中虛線下的實線部分).當正向瞬間電壓大于轉(zhuǎn)折電壓時，器件迅速轉(zhuǎn)變到低電壓大電流的通導狀態(tài).
處于正向阻斷態(tài)的器件，如果給予控制極一低功率的觸發(fā)信號(使控制極-陰極PN結(jié)導通)，則器件可迅速被激發(fā)到導通狀態(tài)，之后毋須繼續(xù)保持觸發(fā)電流即可維持在通導狀態(tài)，此時若將電流降至維持電流(伏安特性虛線處)以下，器件可恢復到阻斷狀態(tài).
高頻整流器用在交流發(fā)電機電源系統(tǒng)中，其作用一是將交流發(fā)電機產(chǎn)生的交流電變?yōu)橹绷麟?，以實現(xiàn)向用電設備供電和向蓄電池充電；二是限制蓄電池電流倒流回發(fā)電機，保護發(fā)電機不被逆電流燒壞。硅二極管具有單向?qū)щ姷奶匦?，即在硅二極管兩端加上一定的電壓（電源正極接二極管正極，電源負極接二極管的負極）時，二極管就導通，有電流流過，反之，二極管不導通，無電流通過。
這樣，電流只能從一個方向通過。人們利用二極管的這個特性，制成整流器。當給高頻整流器加上交流電壓時，只允許交流電的正半周通過，而負半周不通過，因此在整流器的負端便輸出脈動直流電。 奧凱電氣將以質(zhì)量的產(chǎn)品，完善的服務與尊敬的用戶攜手并進！
整流器是一個整流裝置，簡單的說就是將交流（AC）轉(zhuǎn)化為直流（DC）的裝置。它有兩個主要功能：
一，將交流電（AC）變成直流電(DC)，經(jīng)濾波后供給負載，或者供給逆變器；
二，給蓄電池提供充電電壓。因此，它同時又起到一個充電器的作用。
三極管的hFE參數(shù)與貯存時間ts相關，一般hFE大的三極管ts也較大，過去人們對ts的認識以及ts的測量儀器均較為欠缺，人們更依賴hFE參數(shù)來選擇三極管。
在開關狀態(tài)下，hFE的選擇通常有以下認識：、hFE應盡可能高，以便用**少的基極電流得到比較大的工作電流，同時給出盡可能低的飽和電壓，這樣就可以同時在輸出和驅(qū)動電路中降低損耗。
但是，如果考慮到開關速度和電流容限，則hFE的比較大值就受到限制；第二、中國的廠家曾經(jīng)傾向于選用hFE較小的器件，例如hFE為10到15，甚至8到10的三極管就一度很受歡迎(后來，由于基極回路流行采用電容觸發(fā)線路，hFE的數(shù)值有所上升)，hFE的數(shù)值小則飽和深度小，從而有利于降低晶體管的發(fā)熱。
實際上，晶體管的飽和深度受到Ib、hFE兩個因素的影響，因而通過磁環(huán)及繞組參數(shù)、基極電阻Rb的調(diào)整，也可以降低飽和深度。 奧凱電氣始終以適應和促進工業(yè)發(fā)展為宗旨。吉林全橋整流器生產(chǎn)廠家
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為適應高頻工作的需要，通常在硅整流器中采用摻金的方法，以縮短注入少數(shù)載流子的壽命，從而達到減小恢復時間的目的。
為了減小器件因過壓擊穿造成損壞的可能性和提高整流裝置的可靠性，可采用硅雪崩整流器。在這種器件中，當反向電壓超過允許峰值時，在整個PN結(jié)上發(fā)生均勻的雪崩擊穿，器件可工作在高壓大電流下，故能承受相當大的反向浪涌功率。制作這種器件時要求材料缺點少，電阻率均勻，結(jié)面平整，外露結(jié)區(qū)還應進行適當保護，避免發(fā)生表面擊穿。硒整流器的抗過載容量大，承受反向浪涌功率的能力也較強。 重慶橋式整流器
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