吉林白光LED用CeYAG晶體元件

激子和類激子熒光機(jī)制。這種機(jī)制主要依賴于晶體中產(chǎn)生的自陷激子(STE)、電子缺陷激子或類激子激子以及閃爍體中產(chǎn)生閃爍熒光的電子或空穴[[21]。在一些鹵素結(jié)合的無(wú)機(jī)閃爍晶體中，通?？梢垣@得小于10ns的光衰減。例如，CdF2閃爍晶體的光衰減約為7ns。但由于激發(fā)能量必須與被激發(fā)的激子或類激子能量相同或相近，所以具有這種閃爍機(jī)制的無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出一般很低，STEs熒光往往在室溫下被淬滅。盡管某些堿土氟化物晶體的ste在室溫下具有大的光輸出，但它們的光衰減接近毫秒。因此，具有這種發(fā)光機(jī)制的閃爍晶體只能用于特殊目的。CeYAG晶體的發(fā)光峰位置位于560nm左右，很適合使用S20光電倍增管進(jìn)行發(fā)射探測(cè)。吉林白光LED用CeYAG晶體元件

關(guān)于新型閃爍晶體及其應(yīng)用的國(guó)際學(xué)術(shù)交流極其頻繁和活躍。例如，關(guān)于新閃爍晶體及其應(yīng)用的第1次國(guó)際會(huì)議“水晶2000”于1992年在法國(guó)夏蒙尼舉行，由“水晶透明協(xié)作”小組主辦。隨后，研究合作小組分別于1994年、1995年、1997年、1999年和2001年在美國(guó)，荷蘭，中國(guó)和俄羅斯舉行了兩年一次的新型閃爍材料學(xué)術(shù)研討會(huì)[39]。這些研討會(huì)極大地促進(jìn)了具有高光輸出和快速衰減的無(wú)機(jī)閃爍晶體的研究和發(fā)展。特別是鈰離子摻雜的無(wú)機(jī)閃爍晶體，如Ce:YAP、Ce:LSO和Ce:LuAP，受到了極大的關(guān)注，被認(rèn)為是新一代高光輸出、快衰減的無(wú)機(jī)閃爍晶體材料。提拉法生長(zhǎng)Ce:YAG晶體?湖南大尺寸CeYAG晶體制造提拉法生長(zhǎng)Ce:YAG晶體?

什么是閃爍晶體？關(guān)于閃爍晶體你對(duì)它了解多不多？和小編來(lái)看看下文的介紹吧。我們之所以能看到五彩繽紛的世界，是因?yàn)檠劬δ芙邮罩車矬w發(fā)出或反射的可見(jiàn)光，但這單單只是世界的一小部分。自然界中還存在著許多肉眼看不見(jiàn)的高能射線或粒子，甚至普通的傳感器也無(wú)法直接探測(cè)到，人們必須借助一類被稱為閃爍晶體的特殊材料，才能感知到它們的存在。閃爍晶體置于光電倍增管和準(zhǔn)直器之間，其作用是將熒光轉(zhuǎn)化為γ射線。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?/p>

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。因此，鈰離子摻雜的無(wú)機(jī)氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無(wú)機(jī)閃爍晶體，被譽(yù)為新一代高性能無(wú)機(jī)閃爍晶體CeYAG閃爍晶體還可以應(yīng)用于電子探測(cè)成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。

閃爍晶體可以應(yīng)用的領(lǐng)域有很多，你知道嗎？可來(lái)看看下文的一些介紹，閃爍晶體在工業(yè)探傷領(lǐng)域，人們利用閃爍晶體探測(cè)X射線，在工業(yè)CT上獲取工件內(nèi)部的缺陷結(jié)構(gòu)和分布，避免工件失效和改善工件品質(zhì)；在醫(yī)院，人們采用閃爍晶體探測(cè)注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線，在PET/CT上獲取人體的功能、代謝和受體顯像，診斷病癥和研發(fā)新藥。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，多種閃爍晶體材料得以成功研制并作為產(chǎn)品大批量走向國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動(dòng)能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。湖南大尺寸CeYAG晶體制造

通常應(yīng)用的閃爍晶體材料都是用人工方法培育出來(lái)的。吉林白光LED用CeYAG晶體元件

我們采用溫梯法生長(zhǎng)了Ce:YAG 晶體，原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化學(xué)式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長(zhǎng)方向 <111>，高純 Ar 氣氛，具體生長(zhǎng)方法見(jiàn)第二章所述。如圖 5-1，生長(zhǎng)的晶體尺寸為Φ110×80mm，呈黃黑色，主要是由發(fā)熱體質(zhì)量欠佳造成的碳揮發(fā)物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋，外形絕大部分保持完整。生長(zhǎng)出來(lái)的晶體經(jīng)過(guò)高溫空氣退火 24 小時(shí)后，黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品，樣品經(jīng)空氣退火后加工，從圖可見(jiàn)在晶體的中心位置仍有少量黑色物質(zhì)，中心部分的碳污染無(wú)法消除說(shuō)明退火不充分，經(jīng)再次空氣退火可完全消除。由應(yīng)力儀下觀察的結(jié)果來(lái)看，晶體中無(wú)明顯應(yīng)力，也沒(méi)有因小面生長(zhǎng)現(xiàn)象而產(chǎn)生的**，說(shuō)明晶體生長(zhǎng)過(guò)程中固液界面較平。吉林白光LED用CeYAG晶體元件

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