北京雙折射CeYAP晶體元件

Ce:YAP高溫閃爍晶體的研究！不同溫度退火的Fe: YAP樣品的吸收光譜和差分吸收光譜，是Fe: YAP樣品在不同溫度退火后的吸收光譜和微分吸收光譜。Fe: YAP晶體的吸收光譜在203納米、246納米、270納米和325納米附近有吸收峰。差示吸收光譜顯示，氫退火后264 ~ 270納米波長范圍內(nèi)的吸收明顯減弱，氧退火后321納米出現(xiàn)差示吸收峰?？梢哉J(rèn)為246 nm和270 nm處的吸收與Fe3有關(guān)，即Fe3和Fe2之間存在躍遷[102]。除了321nm處的吸收，YAP: Fe的幾個吸收峰與純YAP晶體的吸收峰有一定距離，這不能解釋純YAP(Ce: YAP)中的其他吸收峰與鐵有關(guān)。CeYAP晶體在中低能量粒子射線探測方面有很大的應(yīng)用前景。北京雙折射CeYAP晶體元件

哪里可以買到CeYAP晶體？需要說明的是：(1)透鏡的作用是便于調(diào)節(jié)，使得激光光斑和閃爍體尺寸相適應(yīng)，激光能夠比較均勻地輻照到晶體上；(2)要避免激光透過晶體直接打到光電管光陰極上，以防止損傷光電管和記錄示波器；(3)為了避免激光經(jīng)閃爍體散射而打到光電管光陰極上，之前加濾鏡是為了將波長較短的散射激光(266nm)濾掉，同時讓波長相對長的閃爍晶體的激發(fā)熒光通過；(4)整個實驗需要在暗室中進行。數(shù)據(jù)分析方法與 X 射線激發(fā)熒光壽命相似。 Ce:YAP晶體中Ce3離子5d4f躍遷對應(yīng)的熒光光譜為330 ~ 400nm之間的一個帶，其峰值約為365 ~ 370nm。黑龍江進口CeYAP晶體生產(chǎn)過渡金屬離子污染造成Ce: YAP吸收帶紅移可能性不大。

為了了解過渡金屬摻雜對Ce: YAP自吸收可能產(chǎn)生的影響，我們對比了Cu(0.5%), Fe(0.5%)，Mn(0.5%) 等過渡金屬摻雜的純YAP晶體的透過譜。由此可見，Mn摻雜YAP在480nm處有明顯吸收峰，Cu 摻雜則在370nm左右存在吸收峰，F(xiàn)e摻雜YAP并將在下節(jié)討論。我們生長的Ce: YAP 在350nm到500nm范圍內(nèi)不存在額外吸收峰，少量過渡金屬離子的存在對吸收只會造成線性疊加影響, 且低濃度吸收并不足以造成Ce: YAP晶體的自吸收，因此過渡金屬離子污染造成Ce: YAP吸收帶紅移可能性不大。

目前，Ce:YAP閃爍晶體已有不同規(guī)格出售，主要采用直拉法和下降法生長。ce:yap的1.5.1.2晶體結(jié)構(gòu)、生長、能級和光譜性質(zhì)CeYAP晶體低濃度與高濃度如何區(qū)分？載流子也可以被晶格中的淺陷阱俘獲。這些俘獲的載流子可以被熱釋放并參與復(fù)合過程，從而增加晶體的發(fā)射持續(xù)時間。(Ce3離子5d態(tài)的能量較低，與4f態(tài)的高能級重疊。所以4f電子會被激發(fā)到5d態(tài)，從5d態(tài)回到4f態(tài)會發(fā)光。由于5d軌道位于5s5p之外，不像4f軌道那樣被屏蔽在內(nèi)層，所以很容易受到外場的影響，使得5d態(tài)成為能帶而不是離散能級。從這個能帶到4f能級的躍遷成為帶譜。我們生長的Ce: YAP 在350nm到500nm范圍內(nèi)不存在額外吸收峰。

Ce: YAP閃爍晶體的性能研究，摻鈰釔鋁石榴石(Ce: YAP)作為一種性能優(yōu)越的高溫閃爍晶體，在高能核物理和核醫(yī)學(xué)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。然而，在實際應(yīng)用中，我國生長的Ce: YAP晶體存在嚴(yán)重的自吸收問題，直接影響晶體的發(fā)光效率。為了提高Ce: YAP晶體的閃爍性能，特別是發(fā)光強度，有必要深入分析晶體的自吸收機制，盡量減小自吸收對發(fā)光的影響。本章主要研究內(nèi)容如下：采用中頻感應(yīng)直拉法生長了不同摻雜濃度的Ce: YAP閃爍晶體，比較了不同厚度、退火溫度和氣氛、不同摻雜和輻照對自吸收的影響。同時，分析了不同摻雜對衰減時間等其他閃爍特性的影響。CeYAP晶體在對閃爍晶體CeYAP的研究過程中 ，發(fā)現(xiàn)了YAP晶體的變色現(xiàn)象。北京雙折射CeYAP晶體元件

CeYAP晶體，摻鈰YAP晶體兼有高光輸出和快衰減時間的閃爍特征。北京雙折射CeYAP晶體元件

用溫梯法成功生長了直徑為 110mm 的大尺寸 Ce: YAG 閃爍晶體，晶體具有良好的外形和光學(xué)性質(zhì)。研究了不同溫度和氣氛等退火條件對 Ce: YAG（TGT）閃爍晶體發(fā)光性能的影響，發(fā)現(xiàn)1100℃ 氧氣退火對提高晶體的發(fā)光強度具有比較好效果，發(fā)光強度提高了近60%。并初步分析了 Ce: YAG（TGT）閃爍晶體存在的缺陷以及其對晶體的發(fā)光性能和閃爍時間的影響。測試了大尺寸 Ce: YAG 閃爍晶體的相對光輸出、γ射線靈敏度與DD中子靈敏度、γ射線相對能量響應(yīng)等性能，結(jié)果表明溫梯法生長的Ce: YAG 晶體在高能射線和中子探測方面具有較大的應(yīng)用價值。 陜西CeYAP晶體供應(yīng)YAP中形成色心的另外一種可能原因是晶體中存在雜質(zhì)離子.北京雙折射CeYAP晶體元件