安徽國(guó)產(chǎn)CeYAP晶體型號(hào)

比較了摻雜不同價(jià)離子對(duì)Ce: YAP晶體自吸收的影響。發(fā)現(xiàn)二價(jià)離子對(duì)Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強(qiáng)的負(fù)面影響，而四價(jià)離子有助于提高晶體的閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體性能的影響。利用溫度梯度法，生長(zhǎng)了直徑為110毫米的Ce: YAG閃爍晶體，該晶體具有良好的形狀和光學(xué)性質(zhì)。研究了不同溫度和氣氛等退火條件對(duì)Ce: YAG(TGT)閃爍晶體發(fā)光效率的影響，發(fā)現(xiàn)1100氧退火對(duì)提高晶體發(fā)光強(qiáng)度的效果比較好。在離子晶體中還觀察到了一種新的內(nèi)在發(fā)光：中心帶上部和價(jià)帶之間的躍遷，簡(jiǎn)稱為中心-價(jià)帶躍遷。這種發(fā)光躍遷衰減時(shí)間快(子納秒級(jí))，但光輸出低。1995年，Tetsuhiko等人總結(jié)并重新研究了Ce:YAP晶體的光學(xué)特性。安徽國(guó)產(chǎn)CeYAP晶體型號(hào)

發(fā)光材料的X射線激發(fā)發(fā)射光譜指的是X射線經(jīng)過(guò)發(fā)光材料時(shí)，發(fā)光材料從X射線那里獲得能量產(chǎn)生二次電子，二次電子激發(fā)發(fā)光材料的發(fā)光中心，然后發(fā)光中心退激發(fā)光，樣品所發(fā)出的光經(jīng)分光儀器(單色儀)分成不同顏色(或波長(zhǎng))的光，通過(guò)光電倍增管測(cè)出不同波長(zhǎng)的發(fā)光強(qiáng)度，得到樣品的發(fā)光按照波長(zhǎng)或頻率的一個(gè)分布Ce:YAP晶體生長(zhǎng)過(guò)程詳細(xì)介紹有嗎？因此激發(fā)譜中幾個(gè)發(fā)光成分其實(shí)還可以再分解為不同子能級(jí)的發(fā)光，而且疊加后的峰形會(huì)比單峰明顯展寬，普通的擬和只能作近似表達(dá)。安徽國(guó)產(chǎn)CeYAP晶體型號(hào)由于YAP晶體熱膨脹系數(shù)和熱導(dǎo)率的軸向差異，除了選擇合適的籽晶外，選擇合適的溫度場(chǎng)環(huán)境更為重要。

過(guò)渡金屬離子摻雜對(duì)YAP晶體透射邊緣的影響，由于過(guò)渡金屬離子D層具有更多的電子能級(jí)，容易受到晶場(chǎng)的影響，因此YAP晶體中可能存在更多的吸收帶。為了了解過(guò)渡金屬摻雜對(duì)Ce: YAP自吸收的可能影響，我們比較了摻雜過(guò)渡金屬如銅(0.5%)、鐵(0.5%)和錳(0.5%)的純YAP晶體的透射光譜。從圖4-11可以看出，Mn摻雜的yap在480nm處有明顯的吸收峰，而Cu摻雜的YAP在370nm左右有吸收峰，F(xiàn)e摻雜的YAP將在下一節(jié)討論。我們生長(zhǎng)的Ce: YAP在350nm ~ 500nm范圍內(nèi)沒(méi)有額外的吸收峰，少量過(guò)渡金屬離子的存在只會(huì)對(duì)吸收產(chǎn)生線性疊加效應(yīng)，低濃度吸收不足以引起Ce: YAP晶體的自吸收，因此過(guò)渡金屬離子污染不太可能引起Ce3360Yap吸收帶紅移。同時(shí)，GDMS分析結(jié)果還表明，我們生長(zhǎng)的Ce: YAP晶體中過(guò)渡金屬的含量小于10ppm，對(duì)晶體發(fā)光的影響可以忽略不計(jì)。

為了研究過(guò)渡金屬可能對(duì)Ce: YAP晶體性能的影響，我們生長(zhǎng)了Mn 離子摻雜的Ce: YAP 晶體，并與Mn: YAP和Ce: YAP 晶體進(jìn)行了比較。選用Mn 離子一是由于Mn 對(duì)YAP 晶體的吸收譜影響很大；二是M. A. Noginov等人將Ce離子摻入Mn: YAP中來(lái)獲得三價(jià)Mn離子[113]，Ce3+離子可以為Mn4+ 離子提供一個(gè)電子，使其變成三價(jià)：Ce3+ + Mn4+ → Ce4+ + Mn3+，正好研究Mn 對(duì)Ce離子價(jià)態(tài)變化的影響；而且Mn離子和Ce離子之間可能存在能量傳遞過(guò)程，對(duì)研究Ce: YAP晶體的閃爍性能會(huì)有一些參考作用。CeYAP晶體中Ce3離子5d4f躍遷對(duì)應(yīng)的熒光光譜為330~400nm之間的一個(gè)帶，其峰值約為365~370nm。

本文主要討論了大尺寸Ce:YAP晶體的生長(zhǎng)和自吸收以及用溫度梯度法生長(zhǎng)和退火大尺寸Ce:YAG晶體，以提高晶體的實(shí)用性能。釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶是一種優(yōu)良的激光基質(zhì)材料和光學(xué)襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體得到了普遍的應(yīng)用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料在1992年引起了人們的注意。Moszynski和Ludziejewski分別于1994年和1997年系統(tǒng)地研究了Ce:YAG晶體的閃爍特性，指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)異的閃爍特性。同時(shí)，國(guó)內(nèi)生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體的自吸收問(wèn)題長(zhǎng)期存在，導(dǎo)致無(wú)法有效提高光產(chǎn)額。因此，解決自吸收問(wèn)題，生長(zhǎng)大尺寸Ce:YAP晶體對(duì)閃爍材料的研究和應(yīng)用具有重要意義。CeYAP晶體，摻鈰YAP晶體兼有高光輸出和快衰減時(shí)間的閃爍特征。青海國(guó)產(chǎn)CeYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)

CeYAP作為一種高溫閃爍晶體，具有良好的機(jī)械加工性能。安徽國(guó)產(chǎn)CeYAP晶體型號(hào)

有人計(jì)算過(guò)YAP晶體的能帶結(jié)構(gòu)[77，78]。結(jié)果表明，該氧化物晶體的價(jià)帶頂端由未結(jié)合的O2-離子組成，而價(jià)帶he心主要由O2-離子的2S能級(jí)和Y3離子的4P能級(jí)的混合物組成。導(dǎo)帶底部主要由Y3離子的4d和5S軌道組成，而Al3的3d能級(jí)在導(dǎo)帶中占據(jù)較高的能級(jí)位置。YAP晶體的禁帶寬度為7.9 eV，主要由Y-O相互作用決定，而不是Al-O相互作用。文獻(xiàn)[26]中也報(bào)道了YAP晶體的帶隙為8.02 eV。由于YAP晶體結(jié)構(gòu)的各向異性，很難獲得高質(zhì)量的晶體，但由于其廣闊的應(yīng)用前景，人們對(duì)YAP晶體的生長(zhǎng)過(guò)程做了大量的探索和研究。安徽國(guó)產(chǎn)CeYAP晶體型號(hào)