吉林白光LED用CeYAP晶體直供

Ca2+離子和Si4+離子摻雜對Ce : YAP晶體有哪些影響？釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶是一種優(yōu)良的激光基質(zhì)材料和光學(xué)襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體得到了普遍的應(yīng)用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料在1992年引起了人們的注意。Moszynski和Ludziejewski分別于1994年和1997年系統(tǒng)地研究了Ce:YAG晶體的閃爍特性，指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)異的閃爍特性。Ce:YAG衰減快(80ns)，在530nm處發(fā)出熒光，其發(fā)射波長與硅光電二極管的探測敏感區(qū)相匹配，因此可應(yīng)用于低能射線粒子的探測等領(lǐng)域。CeYAP晶體在裝爐時，為了保證爐體內(nèi)徑向溫度軸對稱分布，線圈、石英管、坩堝及籽晶中心應(yīng)該保持一致。吉林白光LED用CeYAP晶體直供

作為自由離子，Ce3的4f和5d能級差為6.134 eV (202nm/49340cm-1) [14]。在晶體場的作用下，4f和5d之間的能級距離普遍減小。晶體場力越大，能級間距越小。從前面的討論可以看出，4f能級在內(nèi)層被屏蔽，基本不受晶場影響。5d態(tài)被晶體場分裂，導(dǎo)致4f和5d能級重心距離縮短。P. Dorenbos認為，晶體場引起的5d能級分裂程度取決于Ce3周圍陰離子多面體的大小和形狀[15]?；贑e3離子以上獨特的能級結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性，以Ce3離子為激發(fā)離子的無機晶體一般光輸出高，衰減時間快，更適合作為閃爍晶體。 吉林白光LED用CeYAP晶體直供由于YAP晶體熱膨脹系數(shù)和熱導(dǎo)率的軸向差異，除了選擇合適的籽晶外，選擇合適的溫度場環(huán)境更為重要。

哪里可以買到CeYAP晶體？需要說明的是：(1)透鏡的作用是便于調(diào)節(jié)，使得激光光斑和閃爍體尺寸相適應(yīng)，激光能夠比較均勻地輻照到晶體上；(2)要避免激光透過晶體直接打到光電管光陰極上，以防止損傷光電管和記錄示波器；(3)為了避免激光經(jīng)閃爍體散射而打到光電管光陰極上，之前加濾鏡是為了將波長較短的散射激光(266nm)濾掉，同時讓波長相對長的閃爍晶體的激發(fā)熒光通過；(4)整個實驗需要在暗室中進行。數(shù)據(jù)分析方法與 X 射線激發(fā)熒光壽命相似。 Ce:YAP晶體中Ce3離子5d4f躍遷對應(yīng)的熒光光譜為330 ~ 400nm之間的一個帶，其峰值約為365 ~ 370nm。

國外生長的YAP單晶已達到50毫米，長約150毫米，重約1380克。隨著生長技術(shù)的提高，中科院上海光學(xué)力學(xué)研究所已經(jīng)能夠生長出直徑為50 mm的大單晶，但形狀控制和質(zhì)量有待進一步提高。比較了不同價離子摻雜對Ce: YAP晶體閃爍性能的影響。結(jié)果表明，二價離子摻雜對Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強的負面影響，而四價離子摻雜有助于提高Ce:Yap晶體的部分閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對Ce: YAP晶體性能的影響。發(fā)現(xiàn)YAP基體中Mn離子和Ce離子之間存在明顯的能量轉(zhuǎn)移過程，Ce和Mn: YAP的衰變時間明顯短于Ce、Mn : YAP，其快、慢成分分別為10.8ns和34.6 ns。晶體生長過程中大的溫度梯度以及快的降溫速率等是CeYAP晶體產(chǎn)生開裂的主要原因。

對于摻Ce3的無機閃爍晶體，高能射線作用下的閃爍機制一般認為如下:晶體吸收高能射線后，晶體內(nèi)部產(chǎn)生大量的熱化電子空穴對。由于鈰元素的四階電離能是所有稀土元素中比較低的(如圖1-6所示)，晶體發(fā)光中心的Ce3離子首先俘獲一個空穴形成Ce4離子。然后一個電子被捕獲，變成Ce3。此時，電子和空穴被鈰離子重組。復(fù)合產(chǎn)生的能量將Ce3離子從4f基態(tài)激發(fā)到5d激發(fā)態(tài)，然后Ce3離子從5d激發(fā)態(tài)輻射弛豫到4f基態(tài)發(fā)光由于摻雜鈰離子的無機閃爍體通常具有高光輸出和快速衰減的特點。CeYAP等被認為是新一代高性能無機閃爍晶體。廣西國產(chǎn)CeYAP晶體型號

CeYAP高溫?zé)o機閃爍晶體主要應(yīng)用于快速gamma射線探測、動物PET影像掃描儀、電子成像等。吉林白光LED用CeYAP晶體直供

CeYAP晶體一般常規(guī)濃度是多少？無機閃爍晶體的閃爍機理，閃爍體的本質(zhì)是在盡可能短的時間內(nèi)將高能射線或粒子轉(zhuǎn)化為可探測的可見光。高能射線與無機閃爍晶體的相互作用一般有三種方式：光電效應(yīng)、康普頓散射和正負電子對。在光電效應(yīng)中，一個離子吸收光子后，會從它的一個殼層發(fā)射光電子。光電子能量是光子能量和電子結(jié)合能之差。當(dāng)殼層中的空位被較高能量的電子填滿時，結(jié)合能將以X射線或俄電子的形式釋放出來。產(chǎn)生的X射線將在二次光電過程中被吸收，入射光的所有能量將被閃爍體吸收。 吉林白光LED用CeYAP晶體直供