云南雙折射CeYAP晶體哪家好

剛出爐的Ce:YAP單晶由于內(nèi)部熱應(yīng)力較大，在加工過程中容易開裂，提拉法生長的晶體明顯，同時(shí)由于鈰離子的價(jià)態(tài)(Ce2、Ce3、Ce4)不同，高溫閃爍晶體中只有三價(jià)鈰離子(Ce3)作為發(fā)光中心，因此不同的退火工藝條件對(duì)高溫閃爍晶體的閃爍性能有重要影響。對(duì)于空氣退火，退火溫度為1000 ~ 1600，恒溫時(shí)間為20 ~ 30小時(shí)，1200以下升溫/降溫速率為50 ~ 100，1200時(shí)升溫/降溫速率為30 ~ 50。使用的設(shè)備是硅碳或硅鉬棒馬弗爐流動(dòng)氫退火，退火溫度1200-1600，恒溫時(shí)間20-36小時(shí)，1200以下升溫/降溫速率50-100/小時(shí)，1200升溫/降溫速率30-50/小時(shí)。發(fā)現(xiàn)YAP基質(zhì)中Ce，Mn之間存在明顯的能量轉(zhuǎn)移過程。云南雙折射CeYAP晶體哪家好

不同退火條件下Ce: YAP晶體自吸收的比較，為了比較不同退火條件下退火對(duì)自吸收的影響，我們測量了相同厚度(2mm)和濃度(0.3%)的Ce: YAP晶體在不同溫度和氣氛下退火后的透射光譜、熒光光譜和XEL光譜。從圖4-8可以看出，直拉法生長的Ce: YAP晶體經(jīng)氫退火后透射邊藍(lán)移，自吸收減弱。當(dāng)進(jìn)行氧退火時(shí)，通過邊緣紅移增強(qiáng)了自吸收。氫的退火溫度越高，自吸收越弱。氧的退火溫度越高，自吸收越強(qiáng)。然而，退火溫度的上限約為1600。如果溫度太高，晶體容易起霧，導(dǎo)致幾乎不滲透。重慶白光LED用CeYAP晶體批發(fā)價(jià)由于YAP晶體熱膨脹系數(shù)和熱導(dǎo)率的軸向差異，除了選擇合適的籽晶外，選擇合適的溫度場環(huán)境更為重要。

YAP晶體屬于扭曲鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的正交晶系，可視為晶格常數(shù)A=5.328，B=7.367，C=5.178的Al-O 八面體，所有頂點(diǎn)共享而成的三維結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)如圖1-7所示。一個(gè)YAP原細(xì)胞中有四個(gè)YAP分子，晶體中有兩種可以置換的陽離子位置：一種是扭曲的YO12多面00置(y3半徑ry=1.02)；另一個(gè)接近理想的八面00置(ral=0.53)。Ce3離子的半徑為1.03，取代了YAP中具有C1h對(duì)稱性的Y3離子。由于失真，實(shí)際配位數(shù)相當(dāng)于8。該體系中有三種穩(wěn)定的化合物：(1) y3al5o12 (YAG)，摩爾比為1)y2 O3al2o 3=:5；(2)摩爾比為2:1的單斜化合物y4al 2o 9(YAM)；(3)摩爾比為1:1的氧化釔(YAP)。YAP是一種均勻熔化的化合物，從熔點(diǎn)到室溫沒有相變。

紫外輻照對(duì)Ce:YAP晶體自吸收有影響嗎？摻鈰高溫閃爍晶體是無機(jī)閃爍晶體的一個(gè)重要發(fā)展方向，其中鈰：YAP和鈰3360Yag是較好的晶體。隨著應(yīng)用要求的變化，閃爍晶體的尺寸越來越大，因此生長大尺寸的閃爍晶體變得更加重要。同時(shí)，國內(nèi)生長的Ce:YAP晶體自吸收現(xiàn)象普遍存在，導(dǎo)致無法有效提高出光量，其機(jī)理尚不清楚。為了有效提高Ce:YAP晶體的閃爍性能，解決其自吸收問題，提高其發(fā)光強(qiáng)度，重點(diǎn)研究了Ce:YAP晶體的自吸收機(jī)制。同時(shí)，為了獲得高發(fā)光效率的大尺寸Ce:YAG晶體，嘗試用溫度梯度法生長大尺寸Ce:YAG晶體，并探索了晶體的比較好熱處理?xiàng)l件。本文主要討論了大尺寸Ce:YAP晶體的生長和自吸收以及用溫度梯度法生長和退火大尺寸Ce:YAG晶體，以提高晶體的實(shí)用性能。CeYAP晶體具有較高的能量分辨率。

生長CeYAP晶體批發(fā)價(jià)過渡金屬摻雜對(duì)YAP晶體透過邊有哪些影響？Ce: YAP晶體自吸收機(jī)制分析，從以上實(shí)驗(yàn)可以看出，存在自吸收的累積效應(yīng)，隨著厚度和濃度的增加而增加。在氧氣氛中退火后，自吸收增加，而在還原氣氛中，自吸收減少。自吸收隨ce離子濃度的增加而增加，與Ce離子有明顯的相關(guān)性，說明雜質(zhì)離子引起自吸收有兩種可能：一種可能是Ce原料附帶的；另一種可能是其他原料中的雜質(zhì)可以與Ce離子相互作用形成吸收中心。如果Ce原料上有雜質(zhì)附著，CeO2原料純度為5N，Ce離子的熔體濃度小于0.6%，兩者之間的倍增為0.1ppm數(shù)量級(jí)，那么這種雜質(zhì)的可能性很小。CeYAP晶體具有優(yōu)良的閃爍性能，其主要特點(diǎn)是光產(chǎn)額大，衰減時(shí)間短。云南雙折射CeYAP晶體哪家好

CeYAP晶體，摻鈰YAP晶體兼有高光輸出和快衰減時(shí)間的閃爍特征。云南雙折射CeYAP晶體哪家好

發(fā)光材料的X射線激發(fā)發(fā)射光譜指的是X射線經(jīng)過發(fā)光材料時(shí)，發(fā)光材料從X射線那里獲得能量產(chǎn)生二次電子，二次電子激發(fā)發(fā)光材料的發(fā)光中心，然后發(fā)光中心退激發(fā)光，樣品所發(fā)出的光經(jīng)分光儀器(單色儀)分成不同顏色(或波長)的光，通過光電倍增管測出不同波長的發(fā)光強(qiáng)度，得到樣品的發(fā)光按照波長或頻率的一個(gè)分布Ce:YAP晶體生長過程詳細(xì)介紹有嗎？因此激發(fā)譜中幾個(gè)發(fā)光成分其實(shí)還可以再分解為不同子能級(jí)的發(fā)光，而且疊加后的峰形會(huì)比單峰明顯展寬，普通的擬和只能作近似表達(dá)。云南雙折射CeYAP晶體哪家好

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