北京科研用CeYAP晶體企業(yè)

晶體中e3的電子結(jié)構(gòu)、能級結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性，給出了鑭系元素的電子殼層結(jié)構(gòu)和離子半徑。從表中可以看出，Ce元素的電子結(jié)構(gòu)為[Xe]4f15d16s2，所以Ce3的電子結(jié)構(gòu)以[Xe]4f1為特征，Ce3的內(nèi)部電子結(jié)構(gòu)為惰性原子結(jié)構(gòu)，0外層只有一個電子結(jié)構(gòu)，所以Ce3在晶體中具有獨特的能級結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性:Ce3離子的一個電子在4f能級上L=3，在5d能級上L=2，它們的宇稱不同，所以Ce3離子的5d-4f躍遷是允許的電偶極子躍遷。在這個允許的5d-4f躍遷中，電子在5d能級的壽命很短，一般在低5d能級的30~100ns，所以作為閃爍晶體的發(fā)光中心，它的衰變時間很短。由于晶體放肩階段屬強迫限制晶體直徑增大的過程，晶體尺寸的變化率比較大。北京科研用CeYAP晶體企業(yè)

摻鈰鋁酸釔(Ce: YAP)和釔鋁石榴石(Ce: YAG)高溫閃爍晶體不jin具有高光輸出和快速衰減的閃爍特性(表1-5)，而且具有優(yōu)異的物理化學(xué)性能(表1-6)。它們具有密度低、有效原子序數(shù)小的缺點，但可以廣泛應(yīng)用于中低能射線和粒子探測領(lǐng)域。Ce: YAP和Ce: YAG是兩種典型的高光輸出、快速衰減的高溫?zé)o機閃爍晶體，已經(jīng)在許多場合得到應(yīng)用。對它們的生長特性、晶體缺陷和光學(xué)閃爍性能的研究，對其他鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體的研究和探索具有重要的參考意義。四川雙折射CeYAP晶體廠家直供1995年，Tetsuhiko等人總結(jié)并重新研究了Ce:YAP晶體的光學(xué)特性。

不同退火條件下Ce: YAP晶體自吸收的比較，為了比較不同退火條件下退火對自吸收的影響，我們測量了相同厚度(2mm)和濃度(0.3%)的Ce: YAP晶體在不同溫度和氣氛下退火后的透射光譜、熒光光譜和XEL光譜。從圖4-8可以看出，直拉法生長的Ce: YAP晶體經(jīng)氫退火后透射邊藍移，自吸收減弱。當(dāng)進行氧退火時，通過邊緣紅移增強了自吸收。氫的退火溫度越高，自吸收越弱。氧的退火溫度越高，自吸收越強。然而，退火溫度的上限約為1600。如果溫度太高，晶體容易起霧，導(dǎo)致幾乎不滲透。

除了主要摻雜的鈰元素外，鋯元素占很大比例，其含量超過10ppm，這應(yīng)該是由于生長過程中少量氧化鋯絕緣蓋碎片落入熔體中造成的，但鋯對YAP: Ce晶體[104]的閃爍特性有一定的積極影響。其他元素的含量太小，不足以引起足夠數(shù)量的吸收中心。但晶體生長所用原料的純度為5N，測量結(jié)果表明總雜質(zhì)含量大于1ppm，已經(jīng)超出純度限值一個數(shù)量級。過量的雜質(zhì)可能來自晶體生長過程或配料過程，因此在未來的生長和制備過程中應(yīng)注意可能的雜質(zhì)污染。Ce:YAP晶體在弱還原氣氛中生長，發(fā)現(xiàn)晶體的自吸收被有效壓制。

Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體的區(qū)別？無機閃爍晶體的閃爍機理，閃爍體的本質(zhì)是在盡可能短的時間內(nèi)將高能射線或粒子轉(zhuǎn)化為可探測的可見光。高能射線與無機閃爍晶體的相互作用一般有三種方式：光電效應(yīng)、康普頓散射和正負電子對。在光電效應(yīng)中，一個離子吸收光子后，會從它的一個殼層發(fā)射光電子。光電子能量是光子能量和電子結(jié)合能之差。當(dāng)殼層中的空位被較高能量的電子填滿時，結(jié)合能將以X射線或俄電子的形式釋放出來。產(chǎn)生的X射線將在二次光電過程中被吸收，入射光的所有能量將被閃爍體吸收。 過渡金屬摻雜對YAP晶體透過邊有哪些影響？研究表明，Ce4離子對Ce3離子發(fā)光有猝滅作用。山西專業(yè)CeYAP晶體廠家

Ce和Mn: YAP的衰變時間明顯短于Ce、Mn : YAP，其快、慢成分分別為10.8ns和34.6 ns。北京科研用CeYAP晶體企業(yè)

摻鈰高溫閃爍晶體是無機閃爍晶體的一個重要發(fā)展方向，其中鈰：YAP和鈰3360Yag是較好的晶體。隨著應(yīng)用要求的變化，閃爍晶體的尺寸越來越大，因此生長大尺寸的閃爍晶體變得更加重要。同時，國內(nèi)生長的Ce:YAP晶體自吸收現(xiàn)象普遍存在，導(dǎo)致無法有效提高出光量，其機理尚不清楚。為了有效提高Ce:YAP晶體的閃爍性能，解決其自吸收問題，提高其發(fā)光強度，重點研究了Ce:YAP晶體的自吸收機制。同時，為了獲得高發(fā)光效率的大尺寸Ce:YAG晶體，嘗試用溫度梯度法生長大尺寸Ce:YAG晶體，并探索了晶體的比較好熱處理條件。北京科研用CeYAP晶體企業(yè)

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