吉林白光LED用CeYAG晶體現(xiàn)貨直供

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對(duì)稱性取代Y3位。在晶體場(chǎng)的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級(jí)分裂為5個(gè)子能級(jí)，比較低5d子能級(jí)離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點(diǎn)。在可見(jiàn)光范圍內(nèi)可以觀察到4個(gè)特征吸收峰，峰值波長(zhǎng)分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對(duì)應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級(jí)躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對(duì)應(yīng)比較低5d子能級(jí)至2F5/2基態(tài)能級(jí)。Ce:YAG晶體的生長(zhǎng)溫度約為1970，生長(zhǎng)周期約為15天。吉林白光LED用CeYAG晶體現(xiàn)貨直供

隨著高能物理、核物理及相關(guān)科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無(wú)機(jī)閃爍晶體的缺點(diǎn)日益突出。尋找新的高光輸出快速衰減的無(wú)機(jī)閃爍晶體具有重要的科學(xué)意義和巨大的市場(chǎng)價(jià)值。20世紀(jì)80年代末和90年代初，國(guó)際上掀起了對(duì)高光輸出快速衰減的無(wú)機(jī)閃爍晶體的研究熱潮。其中，1990年成立的隸屬于歐洲核中心(CERN)的“水晶透明協(xié)作”研究小組，是由來(lái)自十幾個(gè)國(guó)家的材料科學(xué)家、固體物理學(xué)家和探測(cè)器**組成的跨學(xué)科研究小組[39]。其主要目標(biāo)是研究和開(kāi)發(fā)新的無(wú)機(jī)閃爍晶體，以滿足日益增長(zhǎng)的大型強(qiáng)子對(duì)撞機(jī)(LHC)和其他高能物理實(shí)驗(yàn)對(duì)閃爍探測(cè)器的需求。 浙江CeYAG晶體廠家直供用CeYAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測(cè)器可應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測(cè)等核物理實(shí)驗(yàn)。

什么是閃爍晶體？對(duì)于閃爍晶體你了解得多嗎？它應(yīng)用在哪些方面呢？在醫(yī)學(xué)上，閃爍晶體是核醫(yī)學(xué)影像設(shè)備比如X光、CT等檢查設(shè)備的關(guān)鍵部件。同時(shí)，在行李安檢、集裝箱檢查、大型工業(yè)設(shè)備無(wú)損探傷、石油測(cè)井、放射性探測(cè)、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域，閃爍晶體都發(fā)揮著不可替代的作用。既然說(shuō)閃爍晶體是典型的光電轉(zhuǎn)換材料，那么測(cè)試閃爍晶體的發(fā)射光譜就必不可少了。此類材料主要用X射線做激發(fā)，用可見(jiàn)波段響應(yīng)的探測(cè)器進(jìn)行探測(cè)采集。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?/p>

Ce:YAG閃爍晶體的研究概況釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)獲得廣泛應(yīng)用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料引起人們的注意則是在1992年[81]。Moszynski[82]和Ludziejewski[83]等人分別于1994年和1997年對(duì)Ce:YAG晶體的閃爍性能進(jìn)行了較為系統(tǒng)的研究，并指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)良的閃爍性能。Ce:YAG具有快衰減（80ns）以及在530nm發(fā)射熒光，發(fā)光波長(zhǎng)與硅光電二極管的探測(cè)靈敏區(qū)匹配，使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線α粒子的探測(cè)等領(lǐng)域。當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí)，晶體中電子空穴對(duì)Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。

文獻(xiàn)已經(jīng)系統(tǒng)地報(bào)道了Ce:YAP高溫晶體的閃爍性能，現(xiàn)總結(jié)如下：相對(duì)光輸出約為NaI:Tl的38-50%；光衰減，對(duì)于γ-射線激發(fā)，快成分衰減時(shí)間約為26.7±0.12ns，強(qiáng)度占89±2%，慢成分衰減常數(shù)為140±10ns，對(duì)于α－粒子激發(fā)快成分衰減常數(shù)為24.8±0.12ns，強(qiáng)度占85±2%，慢成分衰減常數(shù)為100±5ns；中等密度（5.35g/cm3）和中等有效原子序數(shù)（Zeff=39）等。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體在小于500Kev能量范圍其γ響應(yīng)小，光衰減快，不潮解等，因此可望部分取代CsI:Tl閃爍晶體的應(yīng)用。CeYAG晶體，屬于無(wú)機(jī)閃爍體。吉林白光LED用CeYAG晶體現(xiàn)貨直供

從宏觀上看，直拉法可以生長(zhǎng)出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。吉林白光LED用CeYAG晶體現(xiàn)貨直供

以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度及驅(qū)動(dòng)電壓的變化對(duì)其發(fā)射光譜、色坐標(biāo)、亮度、光視效能和色溫的影響。研究結(jié)果表明，在基于CeYAG單晶的白光LED中，發(fā)射光的色坐標(biāo)以及藍(lán)光與黃綠光之間的相對(duì)強(qiáng)度可通過(guò)對(duì)CeYAG單晶片厚度的改變進(jìn)行調(diào)整。在恒定電壓驅(qū)動(dòng)下，白光LED樣品的亮度、光視效能和色溫均隨單晶片厚度的減小而增加。當(dāng)CeYAG單晶厚度為0.6 mm時(shí)，可獲得較純的白發(fā)射光，并且其色坐標(biāo)具有較高的可靠性和穩(wěn)定性，基本不受驅(qū)動(dòng)電壓變化的影響。研究結(jié)果表明CeYAG單晶是一種可用于新型白光LED的理想熒光材料。吉林白光LED用CeYAG晶體現(xiàn)貨直供

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