河北白光LED用CeYAG晶體加工

CeYAG單晶復(fù)合紅色熒光粉的制備及其在白光LED上的應(yīng)用，采用提拉法生長了CeYAG單晶，并以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度的變化對其色坐標(biāo)，亮度，發(fā)光效率和色溫的影響.由于460nm藍(lán)光芯片激發(fā)的CeYAG單晶白光LED缺少紅光成分，采用流延法將紅色熒光粉CaAlSiN_3:Eu~(2+)涂覆在CeYAG單晶襯底上制備白光LED.制備的白光LED色度隨紅粉含量的變化由冷白光逐漸向暖白光區(qū)域移動，色溫逐漸降低，顯色指數(shù)上升。Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力。河北白光LED用CeYAG晶體加工

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。在晶體場的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級分裂為5個子能級，比較低5d子能級離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點。在可見光范圍內(nèi)可以觀察到4個特征吸收峰，峰值波長分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對應(yīng)比較低5d子能級至2F5/2基態(tài)能級。如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動，發(fā)射波長為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。湖南人工CeYAG晶體生產(chǎn)閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。

利用提拉法生長出的品質(zhì)高的CeYAG閃爍晶體開展了高分辨率X射線成像系統(tǒng)關(guān)鍵器件——閃爍體研制工作，成功制備了尺寸為Φ30mm，厚度為30-45μm的品質(zhì)高的閃爍晶體元件，并研制出基于超薄CeYAG閃爍晶體的高分辨X光探測器，實現(xiàn)X光輻照條件下高分辨成像。CeYAG作為閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，并且它的發(fā)光峰(550nm)能很好的與光電二極管的靈敏波長配合，適合于在用光電二極管作為光探測器和探測輕帶電粒子時使用。且不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，可以應(yīng)用于極端的探測環(huán)境中。

高能物理和核物理實驗要求無機閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外，由于高能物理領(lǐng)域無機閃爍晶體數(shù)量巨大，合適的價格也是一個重要指標(biāo) 什么YAG晶體可以用于極端的探測環(huán)境中？此外，在較高濃度或溫度的情況下，閃爍晶體中的發(fā)光中心也可以通過濃度或熱猝滅產(chǎn)生較短的光衰減，但這往往伴隨著晶體光輸出的降低。閃爍晶體的品質(zhì)因數(shù)，Birks第1次將品質(zhì)因數(shù)(m)的概念引入無機閃爍晶體的表征中。品質(zhì)因數(shù)是指閃爍晶體的光輸出與光衰減的比值，國內(nèi)外對鈰離子摻雜的無機閃爍體進行了大量的研究和探索[40]-[50]，涉及的閃爍體包括氟化合物、溴化物、氧化物和硫化物等無機閃爍體，Ce:YAG晶體拋光難度大嗎？口碑好的CeYAG晶體服務(wù)電話，有Ce:YAG晶體的光致熒光譜嗎？在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。

關(guān)于新型閃爍晶體及其應(yīng)用的國際學(xué)術(shù)交流極其頻繁和活躍。例如，關(guān)于新閃爍晶體及其應(yīng)用的第1次國際會議“水晶2000”于1992年在法國夏蒙尼舉行，由“水晶透明協(xié)作”小組主辦。隨后，研究合作小組分別于1994年、1995年、1997年、1999年和2001年在美國，荷蘭，中國和俄羅斯舉行了兩年一次的新型閃爍材料學(xué)術(shù)研討會[39]。這些研討會極大地促進了具有高光輸出和快速衰減的無機閃爍晶體的研究和發(fā)展。特別是鈰離子摻雜的無機閃爍晶體，如Ce:YAP、Ce:LSO和Ce:LuAP，受到了極大的關(guān)注，被認(rèn)為是新一代高光輸出、快衰減的無機閃爍晶體材料。提拉法生長Ce:YAG晶體?閃爍晶體置于光電倍增管和準(zhǔn)直器之間，其作用是將熒光轉(zhuǎn)化為γ射線。河北白光LED用CeYAG晶體加工

CeYAG閃爍晶體開展了高分辨率X射線成像系統(tǒng)關(guān)鍵器件——閃爍體研制工作。河北白光LED用CeYAG晶體加工

通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強度從零瞬開始增加，并達(dá)到比較大值I0(t=0)，然后閃爍光將指數(shù)衰減(當(dāng)用一階動力學(xué)處理時)，晶體生長的適宜溫度場主要通過選擇和調(diào)整石墨加熱器、鉬坩堝和鉬反射保溫屏的形狀和相對位置來獲得。所用鉬坩堝的尺寸為78毫米h70毫米，鉬坩堝錐形下部的籽晶槽中填充有111方向的純釔鋁石榴石籽晶。Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970，生長周期約為15天。結(jié)晶完成后，晶體在爐內(nèi)原位退火，待爐內(nèi)溫度降至室溫后取出晶體。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬，容易從鉬坩堝中取出，但晶體下部經(jīng)常與坩堝粘結(jié)，導(dǎo)致出坩堝取晶體時晶體下部邊緣開裂。整個晶體內(nèi)部質(zhì)量完好無損河北白光LED用CeYAG晶體加工

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