場效應(yīng)管判定柵極:用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測出的阻值都很大，說明均是反向電阻，該管屬于N溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。 場效應(yīng)管的工作溫度范圍較寬。上海isc場效應(yīng)管特點(diǎn) 場效應(yīng)管的測試判定:柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩...

場效應(yīng)管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔，再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或?yàn)橥?，則說明管是...

柵極電壓（UGs）對(duì)漏極電流（ID）的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí)，漏極電流ID將隨之改變。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場效應(yīng)管的夾斷電壓Uq；當(dāng)UGs=0時(shí)，ID的值為場效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時(shí)，反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線，也稱為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的輸出特性曲線。由圖可見，它分為三個(gè)區(qū)：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時(shí)，應(yīng)工作在飽和區(qū)（這一點(diǎn)與前面講的普通三極管不同）。注意，此處的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普...

膩流暢的磁性聲，彈性十足震撼人心的低頻轟炸聲，別有一番霸道氣勢。在一般的設(shè)計(jì)中場效應(yīng)管特長沒有得到充分發(fā)揮，甚至認(rèn)為聲音偏冷、偏暗，其實(shí)這不是場效應(yīng)管的原因。其聲音不好，一方面是人們使用它直接代換晶體管，晶體管的線路是不能發(fā)揮出場效應(yīng)管的特性的；另一方面，這些電路通常使用AB類的偏置。根據(jù)場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性，在低偏置時(shí)具有嚴(yán)重的非線性，帶來嚴(yán)重的失真，解決的辦法是讓其工作在A類狀態(tài)，特別是單端A類，瞬態(tài)特性較好，音質(zhì)純美，偶次諧波豐富，音色悅耳動(dòng)聽，更具有電子管的醇美音色。 場效應(yīng)管的制造工藝簡單，有利于大規(guī)模集成。深圳大功率場效應(yīng)管廠家 柵極電壓（UGs）對(duì)漏極電流（ID）的控制作用稱為...

2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護(hù)的場效應(yīng)管，封裝形式為SOT-23，深圳市盟科電子科技有限公司從2010年成立至今一直專注場效應(yīng)管的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用。主要生產(chǎn)場效應(yīng)管，三極管，二極管，可控硅，LDO等。質(zhì)量可靠，且提供全程的售前售后服務(wù)。這款2N7002產(chǎn)品是N溝道增強(qiáng)型帶靜電保護(hù)MOS，ESD可達(dá)2000V，其電壓BVDSS是大于60V，電流ID可達(dá)300mA，阻抗Rdon在VGS@10V檔位下典型值為1歐姆，開啟電壓VGS(th)典型值在2-4V。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS，標(biāo)準(zhǔn)絲印為7002和02K，也可以支持ODM定制，交期大多在15天就可以產(chǎn)出。主要用于電腦...

三極管是流控型器件，MOS管是壓控型器件，可控硅不單單是流控型器件，稍微復(fù)雜一點(diǎn)。分別介紹。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件，可以用作開關(guān)，也可以用作信號(hào)放大。三極管分為NPN型和PNP型，當(dāng)三極管的PN結(jié)正向偏置之后，三極管導(dǎo)通。對(duì)于NPN三極管而言：在基極是高電平時(shí)，三極管導(dǎo)通；在基極是低電平時(shí)，三極管截至。對(duì)于PNP三極管而言：在基極是高電平時(shí)，三極管截至；在基極是低電平時(shí)，三極管導(dǎo)通。MOS管的控制方式MOS管是壓控型的器件，與三極管相比較，其過電流能力會(huì)更大。MOS管分為NMOS管和PMOS管。其導(dǎo)通條件不一樣。NMOS管，在Vgs>0時(shí)導(dǎo)通，Vgs<><0時(shí)導(dǎo)通，vgs...

柵極電壓（UGs）對(duì)漏極電流（ID）的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí)，漏極電流ID將隨之改變。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場效應(yīng)管的夾斷電壓Uq；當(dāng)UGs=0時(shí)，ID的值為場效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時(shí)，反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線，也稱為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的輸出特性曲線。由圖可見，它分為三個(gè)區(qū)：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時(shí)，應(yīng)工作在飽和區(qū)（這一點(diǎn)與前面講的普通三極管不同）。注意，此處的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普...

場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場效應(yīng)三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場效應(yīng)三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET。MOS場效應(yīng)管有增強(qiáng)型（EnhancementMOS或EMOS）和耗盡型(MOS或DMOS）兩大類，每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型。場效應(yīng)管有三個(gè)電極：D(Drain)稱為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；G(Gate)稱為柵極，相當(dāng)于雙極型三極管的基極；S(Source)稱為源極，相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極。增強(qiáng)型MOS(...

盟科MK3004N大功率MOS用于榨汁機(jī)，手持咖啡機(jī)，破壁機(jī)等家電產(chǎn)品，其內(nèi)阻可以做到4毫歐以為，芯片面積大，EAS雪崩能力強(qiáng)，可達(dá)40A，電流可達(dá)100A，電壓為30V，N溝道的場效應(yīng)管，封裝形式為貼片TO-252，產(chǎn)品穩(wěn)定，可以提供樣品測試，技術(shù)支持，深圳盟科電子科技有限公司坐落于深圳市寶安區(qū)，成立于2010年，主要專注場效應(yīng)管的研發(fā)，制造還有應(yīng)用，同時(shí)還有三極管，二極管，穩(wěn)壓管，LDO等產(chǎn)品，主要領(lǐng)域?yàn)橄M(fèi)類市場，歡迎客戶洽談合作。 場效應(yīng)管的靜態(tài)功耗較低。嘉興結(jié)型場效應(yīng)管現(xiàn)貨 MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor Fiel...

用測電阻法判別場效應(yīng)管的好壞：測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或?yàn)橥?，則...

C-MOS場效應(yīng)管（增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管）電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS場效應(yīng)管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場效應(yīng)管組合在一起使用。當(dāng)輸入端為低電平時(shí)，P溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平時(shí)，N溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應(yīng)管和N溝道MOS場效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時(shí)由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時(shí)，MOS場效應(yīng)管既被關(guān)斷。 在振蕩器中，場效應(yīng)管可以用于產(chǎn)生高頻信號(hào)。在電壓控制器中，F(xiàn)ET可以用于控制電壓的變化...

用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管：首先用測量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來，對(duì)調(diào)表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對(duì)應(yīng)位置裝人電路，一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、...

場效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動(dòng)場效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)；其次MOSFET的開關(guān)速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因?yàn)闆]有電荷存儲(chǔ)效應(yīng)；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機(jī)理，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用，在消費(fèi)電子、工業(yè)產(chǎn)品、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見。 場效應(yīng)管...

膩流暢的磁性聲，彈性十足震撼人心的低頻轟炸聲，別有一番霸道氣勢。在一般的設(shè)計(jì)中場效應(yīng)管特長沒有得到充分發(fā)揮，甚至認(rèn)為聲音偏冷、偏暗，其實(shí)這不是場效應(yīng)管的原因。其聲音不好，一方面是人們使用它直接代換晶體管，晶體管的線路是不能發(fā)揮出場效應(yīng)管的特性的；另一方面，這些電路通常使用AB類的偏置。根據(jù)場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性，在低偏置時(shí)具有嚴(yán)重的非線性，帶來嚴(yán)重的失真，解決的辦法是讓其工作在A類狀態(tài)，特別是單端A類，瞬態(tài)特性較好，音質(zhì)純美，偶次諧波豐富，音色悅耳動(dòng)聽，更具有電子管的醇美音色。 場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)。杭州V型槽場效應(yīng)管 MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSe...

VMOS場效應(yīng)管:VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不光繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用。 場效應(yīng)管是一種具有多種應(yīng)用場景和優(yōu)點(diǎn)的半導(dǎo)體器件，在現(xiàn)代電子電路中扮演...

場效應(yīng)管判斷跨導(dǎo)的大小:測反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小.對(duì)VMOSV溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管測量跨導(dǎo)性能時(shí)，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時(shí)表內(nèi)電壓較高。當(dāng)用手接觸柵極G時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導(dǎo)值越高；如果被測管的跨導(dǎo)很小，用此法測時(shí)，反向阻值變化不大。 場效應(yīng)管的性能受溫度影響較大。上海V型槽場效應(yīng)管現(xiàn)貨 場效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個(gè)開...

場效應(yīng)管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管。而在信號(hào)源電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)用三極管。場效應(yīng)管靠多子導(dǎo)電，管中運(yùn)動(dòng)的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環(huán)境變化較強(qiáng)烈的場合，采用場效應(yīng)管比較合適。場效應(yīng)管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級(jí)。 V型槽場效應(yīng)管是半導(dǎo)體器件，主要用于放大和開關(guān)電路中。浙江氮化鎵場效應(yīng)管市場價(jià) VMOS場效應(yīng)管:VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為...

場效應(yīng)管的應(yīng)用常用的場效應(yīng)晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 。CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝技術(shù)是現(xiàn)代數(shù)字化集成電路的基礎(chǔ)。這種工藝技術(shù)采用一種增強(qiáng)模式設(shè)計(jì)，即p溝道MOSFET和n溝道MOSFET串聯(lián)連接，使得當(dāng)一個(gè)導(dǎo)通時(shí)，另一個(gè)閉合。在場效應(yīng)晶體管中，當(dāng)以線性模式工作時(shí)，電子可以沿任意方向流過溝道。漏極和源極的命名慣例有些隨意，因?yàn)槠骷ǔ?但不總是)從源極到漏極對(duì)稱構(gòu)建。這使得場效應(yīng)晶體管適合在路徑之間切換模擬信號(hào)(多路復(fù)用)。利用這個(gè)概念可用于構(gòu)建固態(tài)混合板。 場效應(yīng)管的性能受溫度影響較大。加強(qiáng)型場效應(yīng)管接線圖 場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許...

深圳市盟科電子科技有限公司座落于深圳市寶安區(qū)，成立于2010年，占地面積10000余平方米，是一家專業(yè)的半導(dǎo)體研發(fā)制造商。我司專注于半導(dǎo)體元器件的研發(fā)、生產(chǎn)、加工和銷售。作為國家高新技術(shù)企業(yè)，憑借多年的經(jīng)驗(yàn)和發(fā)展，現(xiàn)已達(dá)年產(chǎn)50億只生產(chǎn)規(guī)模。我司主營場效應(yīng)管，二極管，三極管，穩(wěn)壓電路，晶閘管，可控硅等半導(dǎo)體元器件，超過8種封裝如：SOT-23，SOT-23-3L，SOT-23-5L，SOT-23-6L，TO-252，TO-251，SOT-89，SOT-223等。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信，計(jì)算機(jī)，電源，節(jié)能燈，玩具，儀器儀表，家用電器，工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備等領(lǐng)域，且可承接OEM/ODM定制。 場效應(yīng)...

場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorFET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。 從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。嘉興J型場效應(yīng)管供應(yīng)商 ...

柵極電壓（UGs）對(duì)漏極電流（ID）的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí)，漏極電流ID將隨之改變。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場效應(yīng)管的夾斷電壓Uq；當(dāng)UGs=0時(shí)，ID的值為場效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時(shí)，反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線，也稱為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的輸出特性曲線。由圖可見，它分為三個(gè)區(qū)：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時(shí)，應(yīng)工作在飽和區(qū)（這一點(diǎn)與前面講的普通三極管不同）。注意，此處的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普...

MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（較高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VG...

場效應(yīng)管估測放大能力:將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高，而不同的場效應(yīng)管用電阻檔測量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng)，也可能向左擺動(dòng)。少數(shù)的管子RDS減小，使表針向右擺動(dòng)，多數(shù)管子的RDS增...

根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個(gè)電極，分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極，測其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場效應(yīng)管，且黑表筆...

場效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限...

場效應(yīng)管的應(yīng)用常用的場效應(yīng)晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 。CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝技術(shù)是現(xiàn)代數(shù)字化集成電路的基礎(chǔ)。這種工藝技術(shù)采用一種增強(qiáng)模式設(shè)計(jì)，即p溝道MOSFET和n溝道MOSFET串聯(lián)連接，使得當(dāng)一個(gè)導(dǎo)通時(shí)，另一個(gè)閉合。在場效應(yīng)晶體管中，當(dāng)以線性模式工作時(shí)，電子可以沿任意方向流過溝道。漏極和源極的命名慣例有些隨意，因?yàn)槠骷ǔ?但不總是)從源極到漏極對(duì)稱構(gòu)建。這使得場效應(yīng)晶體管適合在路徑之間切換模擬信號(hào)(多路復(fù)用)。利用這個(gè)概念可用于構(gòu)建固態(tài)混合板。 場效應(yīng)管當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。東莞金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)管...

用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管：首先用測量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來，對(duì)調(diào)表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對(duì)應(yīng)位置裝人電路，一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、...

柵極電壓（UGs）對(duì)漏極電流（ID）的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí)，漏極電流ID將隨之改變。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場效應(yīng)管的夾斷電壓Uq；當(dāng)UGs=0時(shí)，ID的值為場效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時(shí)，反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線，也稱為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的輸出特性曲線。由圖可見，它分為三個(gè)區(qū)：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時(shí)，應(yīng)工作在飽和區(qū)（這一點(diǎn)與前面講的普通三極管不同）。注意，此處的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普...

2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護(hù)的場效應(yīng)管，封裝形式為SOT-23，深圳市盟科電子科技有限公司從2010年成立至今一直專注場效應(yīng)管的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用。主要生產(chǎn)場效應(yīng)管，三極管，二極管，可控硅，LDO等。質(zhì)量可靠，且提供全程的售前售后服務(wù)。這款2N7002產(chǎn)品是N溝道增強(qiáng)型帶靜電保護(hù)MOS，ESD可達(dá)2000V，其電壓BVDSS是大于60V，電流ID可達(dá)300mA，阻抗Rdon在VGS@10V檔位下典型值為1歐姆，開啟電壓VGS(th)典型值在2-4V。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS，標(biāo)準(zhǔn)絲印為7002和02K，也可以支持ODM定制，交期大多在15天就可以產(chǎn)出。主要用于電腦...

場效應(yīng)管無標(biāo)示管的判別:首先用測量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極S和漏極D，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來，對(duì)調(diào)表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極，還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極；紅表筆所接地是S極，兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極D、源極S的位置后，按D、S的對(duì)應(yīng)位置裝人電路，一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置，從而就確定了D、S、G1、G...