MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。 場效應管可以用作可變電阻。上海P溝耗盡型場效應管供應 ...

結型場效應管的工作原理(以N溝道結型場效應管為例)，N溝道結構型場效應管的結構及符號，由于PN結中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區(qū)，當漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負，PN結交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒有那么負，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場效應管是電壓控制元件。不同場效應管其關斷電壓略有不同。也正因為如此，使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。 柵極(G)，調(diào)制溝道電導率的電極。通過向柵極施加電壓，可以控制ID。江蘇V型槽場效應管...

場效應管的測試判定估測場效應管的放大能力: 將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動，說明管子已經(jīng)損壞。 場效應晶體管的一個常見用途是用作放大器。湖州固電場效應管供應 三極管是流控型器件，MOS管是壓控型器件，可控硅不單單是流控型器件，稍微復雜一點。分別介紹。三極管的控...

場效應管的測試判定:柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很小，說明均是正向電阻，該管屬于N溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。 注意不能用此法判定絕緣柵型場效應管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。 場效應晶體管的一個優(yōu)點是它的柵極到主電流電阻高（≥100 MΩ）。無錫固電場效應管價格 MOS場效應管的測試方式(1)．...

VMOS場效應管:VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關器件。它不光繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得普遍應用。 場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種...

場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓進行控制”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。 HIGFET (異質(zhì)結構絕緣柵場效應晶體管)現(xiàn)在主要用于研究。深圳耗盡型場效應管現(xiàn)貨 結型場...

場效應管判斷跨導的大小:測反向電阻值的變化判斷跨導的大小.對VMOSV溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就相當于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時表內(nèi)電壓較高。當用手接觸柵極G時，會發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導值越高；如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。 場效應管在源極金屬與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用。佛山加強型場效應管推薦 C-MOS場效應管（增強型MOS場效應管）電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一...

場效應管判斷跨導的大小:測反向電阻值的變化判斷跨導的大小.對VMOSV溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就相當于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時表內(nèi)電壓較高。當用手接觸柵極G時，會發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導值越高；如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。 場效應管的抗輻射能力強。深圳加強型場效應管生產(chǎn)商 2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護的場效應管，封裝形式為SOT-23，深圳市盟科電子科技有限公司從...

場效應管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運行；在電路設計中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當物理設計一個集成電路的時候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限...

場效應管電阻法測電極:根據(jù)場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是PN結的反向，即都是反向電阻，可以判定是P...

MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。 場效應管因而被普遍用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。上海加...

場效應管電阻法測電極:根據(jù)場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是PN結的反向，即都是反向電阻，可以判定是P...

場效應管與雙極性晶體管的比較場效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，應選用場效應管。場效應管是多子導電，而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環(huán)境變化較大的場合，采用場效應管比較合適。場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關外，還可作壓控可變線性電阻使用。場效應管的源極和漏極在結構上是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負。因此，使用場效應管比晶體管靈活。 場效應晶體管的溝道是摻雜n型半導體或p型半導體的結果。寧波雙極場效應管制造商 ...

MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。 漏極與源極之間的電壓由VDS表示。深圳固電場效應管作用 ...

三極管是流控型器件，MOS管是壓控型器件，可控硅不單單是流控型器件，稍微復雜一點。分別介紹。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件，可以用作開關，也可以用作信號放大。三極管分為NPN型和PNP型，當三極管的PN結正向偏置之后，三極管導通。對于NPN三極管而言：在基極是高電平時，三極管導通；在基極是低電平時，三極管截至。對于PNP三極管而言：在基極是高電平時，三極管截至；在基極是低電平時，三極管導通。MOS管的控制方式MOS管是壓控型的器件，與三極管相比較，其過電流能力會更大。MOS管分為NMOS管和PMOS管。其導通條件不一樣。NMOS管，在Vgs>0時導通，Vgs<><0時導通，vgs...

2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護的場效應管，封裝形式為SOT-23，深圳市盟科電子科技有限公司從2010年成立至今一直專注場效應管的研發(fā)、生產(chǎn)和應用。主要生產(chǎn)場效應管，三極管，二極管，可控硅，LDO等。質(zhì)量可靠，且提供全程的售前售后服務。這款2N7002產(chǎn)品是N溝道增強型帶靜電保護MOS，ESD可達2000V，其電壓BVDSS是大于60V，電流ID可達300mA，阻抗Rdon在VGS@10V檔位下典型值為1歐姆，開啟電壓VGS(th)典型值在2-4V。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS，標準絲印為7002和02K，也可以支持ODM定制，交期大多在15天就可以產(chǎn)出。主要用于電腦...

MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（較高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VG...

場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓進行控制”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。 結型場效應管的分類：結型場效應管有兩種結構形式，它們是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。...

場效應管：當帶電荷的生物分子在離子敏感膜上發(fā)生識別并形成復合物時，或生物分子在離子敏感膜上發(fā)生生化反應形成有離子型產(chǎn)物(如H+) 時，將引起離子敏感膜表面電荷密度的改變，從而改變離子敏感膜電位，這就相當于通過外電源調(diào)節(jié)柵極電壓，達到控制源極與漏極之間的溝道電流的目的。而且，柵極敏感膜上的生物分子吸附量與漏極輸出電流在一定范圍內(nèi)有線性相關性。因此，通過測量漏極電流大小就可以定量分析發(fā)生在柵極離子敏感膜上的生物反應，這些生物反應包括核酸雜化、蛋白質(zhì)作用、抗體抗原結合，以及酶底物反應。 場效應管當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。蘇州N溝耗盡型場效應管市場...

場效應管以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區(qū)之間就感應出帶負電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID。 場效應管可以用作可變電阻。金華非絕緣型場效應管原理 場效應管判斷跨導的大小:測反向電阻值的變化判斷跨導的大小.對VMOSV溝道增強型場效應管測量跨導性能時，...

場效應管的檢測方法:（1）準備工作測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。比較好在手腕上接一條導線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導線。（2）判定電極將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。（3）檢查放大能力（跨導）將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極，表針應有較大的偏轉。雙柵MOS場效應管有兩個柵極G...

場效應管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管。而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應用三極管。場效應管靠多子導電，管中運動的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環(huán)境變化較強烈的場合，采用場效應管比較合適。場效應管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。場效應管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級。 場效應管布局走線合理，整機穩(wěn)定性高，信噪比佳，音樂細節(jié)有很好表現(xiàn) 。紹興P溝耗盡型場效應管價格 場效應管的測試判定:柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極，紅表筆分別碰觸另...

場效應管：當帶電荷的生物分子在離子敏感膜上發(fā)生識別并形成復合物時，或生物分子在離子敏感膜上發(fā)生生化反應形成有離子型產(chǎn)物(如H+) 時，將引起離子敏感膜表面電荷密度的改變，從而改變離子敏感膜電位，這就相當于通過外電源調(diào)節(jié)柵極電壓，達到控制源極與漏極之間的溝道電流的目的。而且，柵極敏感膜上的生物分子吸附量與漏極輸出電流在一定范圍內(nèi)有線性相關性。因此，通過測量漏極電流大小就可以定量分析發(fā)生在柵極離子敏感膜上的生物反應，這些生物反應包括核酸雜化、蛋白質(zhì)作用、抗體抗原結合，以及酶底物反應。 漏極與源極之間的電壓由VDS表示。寧波常用場效應管生產(chǎn) 柵極電壓（UGs）對漏極電流（ID）的控制作用稱為轉...

場效應管無標示管的判別:首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極S和漏極D，余下兩個腳為點柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來，對調(diào)表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極；紅表筆所接地是S極，兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極D、源極S的位置后，按D、S的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極G1、G2的位置，從而就確定了D、S、G1、G...

場效應管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管。而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應用三極管。場效應管靠多子導電，管中運動的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環(huán)境變化較強烈的場合，采用場效應管比較合適。場效應管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。場效應管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級。 場效應管可以用作電子開關。無錫單級場效應管生產(chǎn) 場效應晶體管的優(yōu)點：具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零，幾乎不要向信號源吸取電流，在在基極注入電流的大小，直接影響集電極電...

場效應管電阻法測電極:根據(jù)場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是PN結的反向，即都是反向電阻，可以判定是P...

場效應管與雙極性晶體管的比較場效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，應選用場效應管。場效應管是多子導電，而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環(huán)境變化較大的場合，采用場效應管比較合適。場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關外，還可作壓控可變線性電阻使用。場效應管的源極和漏極在結構上是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負。因此，使用場效應管比晶體管靈活。 場效應管的失真多為偶次諧波失真，聽感好。上海貼片場效應管命名 場效應管：當帶...

與雙極型晶體管相比，場效應管具有如下特點。（1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；（2）場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多數(shù)載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；（5）場效應管的抗輻射能力強；（6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。 1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管。中山固電場效應管推薦 MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemic...

MOS場效應管的測試方式(1)．打算工作測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導線與大地連接，使人體與大地維持等電位。再把管腳分離，然后拆掉導線。(2)．判斷電極將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無限大，驗證此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。(3)．檢驗放大能力(跨導)將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用指頭觸摸G極，表針理應較大的偏轉。雙柵MOS場效應管有兩個柵...

場效應管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔，再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是...