隨著科技的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷著一場(chǎng)由微型化和集成化驅(qū)動(dòng)的變革。系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package，簡(jiǎn)稱SiP）技術(shù)，作為這一變革的主要，正在引導(dǎo)著行業(yè)的發(fā)展。SiP技術(shù)通過(guò)將多個(gè)功能組件集成到一個(gè)封裝中，不只有效節(jié)省空間，實(shí)現(xiàn)更高的集成度，還提高了性能，這對(duì)于追求高性能和緊湊設(shè)計(jì)的現(xiàn)代電子產(chǎn)品至關(guān)重要。SiP被認(rèn)為是超越摩爾定律的必然選擇。什么是SiP技術(shù)？SiP（System in Package）技術(shù)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，它允許將多個(gè)集成電路（IC）或者電子組件集成到一個(gè)單一的封裝中。這種技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)不同功能組件的物理集成，而這些組件可能是用不同的制造工藝制造的。SiP...

「共形」及「分段型」屏蔽，另一方面，系統(tǒng)級(jí)封裝模塊需要高密度整合上百顆電子組件，同時(shí)避免與PCB主板上其他組件相互干擾。此外，在模塊外部也必須解決相同的干擾問(wèn)題。因此，必須透過(guò)一項(xiàng)重要制程來(lái)形成組件之間的屏障，業(yè)界稱之為共形屏蔽(Conformal Shielding)和分段型屏蔽(Compartment Shielding)。 在業(yè)界普遍常見的金屬屏蔽罩，每一段均需要保留約1mm寬度的焊盤與排除區(qū)域 (Keep-Out Zone)，云茂電子的共形及分段型屏蔽只需10%的寬度。以一個(gè)多頻4G模塊為例，可為其他組件騰出超過(guò)17%的空間，并可屏蔽40-50 dB的電磁干擾。 隨著集成的功能越...

由于物聯(lián)網(wǎng)“智慧”設(shè)備的快速發(fā)展，業(yè)界對(duì)能夠在更小的封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多功能的系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP) 器件的需求高漲，這種需求將微型化趨勢(shì)推向了更高的層次：使用更小的元件和更高的密度來(lái)進(jìn)行組裝。 無(wú)源元件尺寸已從 01005 （ 0.4 mm× 0.2 mm) 縮小到 008004（ 0.25 mm×0.125 mm) ，細(xì)間距錫膏印刷對(duì) SiP 的組裝來(lái)說(shuō)變得越來(lái)越有挑戰(zhàn)性。 對(duì)使用不同助焊劑和不同顆粒尺寸錫粉的 3 種錫膏樣本進(jìn)行了研究； 同時(shí)通過(guò)比較使用平臺(tái)和真空的板支撐系統(tǒng)，試驗(yàn)了是否可以單獨(dú)使用平臺(tái)支撐來(lái)獲得一致性較好的印刷工藝；并比較了激光切割和電鑄鋼網(wǎng)在不同開孔尺寸下的印刷結(jié)果。SiP...

與MCM相比，SiP一個(gè)側(cè)重點(diǎn)在系統(tǒng)，能夠完成單獨(dú)的系統(tǒng)功能。除此之外，SiP是一種集成概念，而非固定的封裝結(jié)構(gòu)，它可以是2D封裝結(jié)構(gòu)、2.5D封裝結(jié)構(gòu)及3D封裝結(jié)構(gòu)?？梢愿鶕?jù)需要采用不同的芯片排列方式和不同的內(nèi)部互聯(lián)技術(shù)搭配，從而實(shí)現(xiàn)不同的系統(tǒng)功能。一個(gè)典型的SiP封裝芯片如圖所示。采用SiP封裝的芯片結(jié)構(gòu)圖SiP封裝可以有效解決芯片工藝不同和材料不同帶來(lái)的集成問(wèn)題，使設(shè)計(jì)和工藝制程具有較好的靈活性。與此同時(shí)，采用SiP封裝的芯片集成度高，能減少芯片的重復(fù)封裝，降低布局與排線的難度，縮短研發(fā)周期。SIP模組尺寸小，在相同功能上，可將多種芯片集成在一起，相對(duì)單獨(dú)封裝的IC更能節(jié)省PCB的空間。...

淺談系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的優(yōu)勢(shì)及失效分析，半導(dǎo)體組件隨著各種消費(fèi)性通訊產(chǎn)品的需求提升而必須擁有更多功能，組件之間也需要系統(tǒng)整合。因應(yīng)半導(dǎo)體制程技術(shù)發(fā)展瓶頸，系統(tǒng)單芯片（SoC）的開發(fā)效益開始降低，異質(zhì)整合困難度也提高，成本和所需時(shí)間居高不下。此時(shí)，系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的市場(chǎng)機(jī)會(huì)開始隨之而生。 采用系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的優(yōu)勢(shì)，SiP，USI 云茂電子一站式微小化解決方案，相較于SoC制程，采用系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的較大優(yōu)勢(shì)來(lái)自于可以根據(jù)功能和需求自由組合，為客戶提供彈性化設(shè)計(jì)。以較常見的智能型手機(jī)為例，常見的的功能模塊包括傳感器、Wi-Fi、BT/BLE、RF FEM、電源管理芯片…...等。...

SIP產(chǎn)品封裝介紹，什么是SIP?SiP模組是一個(gè)功能齊全的子系統(tǒng)，它將一個(gè)或多個(gè)IC芯片及被動(dòng)元件整合在一個(gè)封裝中。此IC芯片(采用不同的技術(shù)：CMOS、BiCMOS、GaAs等)是Wire bonding芯片或Flipchip芯片，貼裝在Leadfream、Substrate或LTCC基板上。被動(dòng)元器件如RLC及濾波器(SAW/BAW/Balun等)以分離式被動(dòng)元件、整合性被動(dòng)元件或嵌入式被動(dòng)元件的方式整合在一個(gè)模組中。SIP工藝流程劃分，SIP封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線鍵合封裝和倒裝焊兩種。SiP封裝基板具有薄形化、高密度、高精度等技術(shù)特點(diǎn)。天津IPM封裝流程模擬模塊無(wú)法...

近年來(lái)，半導(dǎo)體公司面臨更復(fù)雜的高集成度芯片封裝的挑戰(zhàn)，消費(fèi)者希望他們的電子產(chǎn)品體積更小，性能參數(shù)更高，功耗更低，并將更多功能集成到單部設(shè)備中。半導(dǎo)體封裝工藝的提升，對(duì)于解決這些挑戰(zhàn)具有重要意義。當(dāng)前和未來(lái)的芯片封裝工藝，對(duì)于提高系統(tǒng)性能，增加使用功能，降低系統(tǒng)功耗、縮小外形尺寸的要求，需要一種被稱為系統(tǒng)集成的先進(jìn)封裝方法。模塊劃分是指從電子設(shè)備中分離出一塊功能，既便于后續(xù)的整機(jī)集成又便于SiP封裝。SiP工藝技術(shù)難點(diǎn)：清洗，定制清洗設(shè)備、清洗溶液要求、清洗參數(shù)驗(yàn)證、清洗標(biāo)準(zhǔn)制定；植球，植球設(shè)備選擇、植球球徑大小、球體共面性檢查、BGA測(cè)試、助焊劑殘留要求等；基板，陶瓷基板的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證難度高，工...

至于較初對(duì)SiP的需求，我們只需要看微處理器。微處理器的開發(fā)和生產(chǎn)要求與模擬電路、電源管理設(shè)備或存儲(chǔ)設(shè)備的要求大不相同。這導(dǎo)致系統(tǒng)層面的集成度明顯提高。盡管SiP一詞相對(duì)較新，但在實(shí)踐中SiP長(zhǎng)期以來(lái)一直是半導(dǎo)體行業(yè)的一部分。在1970年代，它以自由布線、多芯片模塊（MCM）和混合集成電路（HIC） 的形式出現(xiàn)。在 1990 年代，它被用作英特爾奔騰 Pro3 集成處理器和緩存的解決方案。如今，SiP已經(jīng)變成了一種解決方案，用于將多個(gè)芯片集成到單個(gè)封裝中，以減少空間和成本。不同的芯片排列方式，與不同的內(nèi)部接合技術(shù)搭配，使 SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合。湖北BGA封裝供應(yīng)SiP還具有以下更...

較終的SiP是什么樣子的呢？理論上，它應(yīng)該是一個(gè)與外部沒(méi)有任何連接的單獨(dú)組件。它是一個(gè)定制組件，非常適合它想要做的工作，同時(shí)不需要外部物理連接進(jìn)行通信或供電。它應(yīng)該能夠產(chǎn)生或獲取自己的電力，自主工作，并與信息系統(tǒng)進(jìn)行無(wú)線通信。此外，它應(yīng)該相對(duì)便宜且耐用，使其能夠在大多數(shù)天氣條件下運(yùn)行，并在發(fā)生故障時(shí)廉價(jià)更換。隨著對(duì)越來(lái)越簡(jiǎn)化和系統(tǒng)級(jí)集成的需求，這里的組件將成為明天的SiP就緒組件，而這里的SiP將成為子系統(tǒng)級(jí)封裝（SSiP）。SiP就緒組件和SSiP將被集成到更大的SiP中，因?yàn)橄到y(tǒng)集成使SiP技術(shù)越來(lái)越接近較終目標(biāo)：較終SiP。微晶片的減薄化是SiP增長(zhǎng)面對(duì)的重要技術(shù)挑戰(zhàn)。重慶模組封裝供應(yīng)商...

系統(tǒng)集成封裝（System in Package）可將多個(gè)集成電路 (IC) 和元器件組合到單個(gè)系統(tǒng)或模塊化系統(tǒng)中，以實(shí)現(xiàn)更高的性能，功能和處理速度，同時(shí)大幅降低電子器件內(nèi)部的空間要求。SiP的基本定義，SiP封裝（System In Package系統(tǒng)級(jí)封裝）是將多種功能芯片，包括處理器、存儲(chǔ)器等功能芯片集成在一個(gè)封裝內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)基本完整的功能，與SOC（System On Chip系統(tǒng)級(jí)芯片）相對(duì)應(yīng)。不同的是SiP是采用不同功能的芯片在基板上進(jìn)行并排或疊構(gòu)后組成功能系統(tǒng)后進(jìn)行封裝。而SOC則是將所需的組件高度集成在一塊芯片上進(jìn)行封裝。SIP（System In Package，系統(tǒng)級(jí)封...

對(duì)于堆疊結(jié)構(gòu)，可以區(qū)分如下幾種：芯片堆疊、PoP、PiP、TSV。堆疊芯片，是一種兩個(gè)或更多芯片堆疊并粘合在一個(gè)封裝中的組裝技術(shù)。這較初是作為一種將兩個(gè)內(nèi)存芯片放在一個(gè)封裝中以使內(nèi)存密度翻倍的方法而開發(fā)的。 無(wú)論第二個(gè)芯片是在頭一個(gè)芯片的頂部還是在它旁邊，都經(jīng)常使用術(shù)語(yǔ)“堆疊芯片”。技術(shù)已經(jīng)進(jìn)步，可以堆疊許多芯片，但總數(shù)量受到封裝厚度的限制。芯片堆疊技術(shù)已被證明可以多達(dá) 24 個(gè)芯片堆疊。然而，大多數(shù)使用9 芯片高度的堆疊芯片封裝技術(shù)的來(lái)解決復(fù)雜的測(cè)試、良率和運(yùn)輸挑戰(zhàn)。芯片堆疊也普遍應(yīng)用在傳統(tǒng)的基于引線框架的封裝中，包括QFP、MLF 和 SOP 封裝形式。如下圖2.21的堆疊芯片封裝形式。隨...

3D SIP。3D封裝和2.5D封裝的主要區(qū)別在于：2.5D封裝是在Interposer上進(jìn)行布線和打孔，而3D封裝是直接在芯片上打孔和布線，電氣連接上下層芯片。3D集成目前在很大程度上特指通過(guò)3D TSV的集成。物理結(jié)構(gòu)：所有芯片及無(wú)源器件都位于XY平面之上且芯片相互疊合，XY平面之上設(shè)有貫穿芯片的TSV，XY平面之下設(shè)有基板布線及過(guò)孔。電氣連接：芯片采用TSV與RDL直接電連接。3D集成多適用于同類型芯片堆疊，將若干同類型芯片豎直疊放，并由貫穿芯片疊放的TSV相互連接而成，見下圖。類似的芯片集成多用于存儲(chǔ)器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。在當(dāng)前時(shí)代，Sip系統(tǒng)級(jí)封裝（...

較終的SiP是什么樣子的呢？理論上，它應(yīng)該是一個(gè)與外部沒(méi)有任何連接的單獨(dú)組件。它是一個(gè)定制組件，非常適合它想要做的工作，同時(shí)不需要外部物理連接進(jìn)行通信或供電。它應(yīng)該能夠產(chǎn)生或獲取自己的電力，自主工作，并與信息系統(tǒng)進(jìn)行無(wú)線通信。此外，它應(yīng)該相對(duì)便宜且耐用，使其能夠在大多數(shù)天氣條件下運(yùn)行，并在發(fā)生故障時(shí)廉價(jià)更換。隨著對(duì)越來(lái)越簡(jiǎn)化和系統(tǒng)級(jí)集成的需求，這里的組件將成為明天的SiP就緒組件，而這里的SiP將成為子系統(tǒng)級(jí)封裝（SSiP）。SiP就緒組件和SSiP將被集成到更大的SiP中，因?yàn)橄到y(tǒng)集成使SiP技術(shù)越來(lái)越接近較終目標(biāo)：較終SiP。一個(gè)SiP可以選擇性地包含無(wú)源器件、MEMS、光學(xué)元件以及其他封...

SiP 與其他封裝形式又有何區(qū)別？SiP 與 3D、Chiplet 的區(qū)別Chiplet 可以使用更可靠和更便宜的技術(shù)制造，也不需要采用同樣的工藝，同時(shí)較小的硅片本身也不太容易產(chǎn)生制造缺陷。不同工藝制造的 Chiplet 可以通過(guò)先進(jìn)封裝技術(shù)集成在一起。Chiplet 可以看成是一種硬核形式的 IP，但它是以芯片的形式提供的。3D 封裝就是將一顆原來(lái)需要一次性流片的大芯片，改為若干顆小面積的芯片，然后通過(guò)先進(jìn)的封裝工藝，即硅片層面的封裝，將這些小面積的芯片組裝成一顆大芯片，從而實(shí)現(xiàn)大芯片的功能和性能，其中采用的小面積芯片就是 Chiplet。?因此，Chiplet 可以說(shuō)是封裝中的單元，先進(jìn)封...

系統(tǒng)集成封裝（System in Package）可將多個(gè)集成電路 (IC) 和元器件組合到單個(gè)系統(tǒng)或模塊化系統(tǒng)中，以實(shí)現(xiàn)更高的性能，功能和處理速度，同時(shí)大幅降低電子器件內(nèi)部的空間要求。SiP的基本定義，SiP封裝（System In Package系統(tǒng)級(jí)封裝）是將多種功能芯片，包括處理器、存儲(chǔ)器等功能芯片集成在一個(gè)封裝內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)基本完整的功能，與SOC（System On Chip系統(tǒng)級(jí)芯片）相對(duì)應(yīng)。不同的是SiP是采用不同功能的芯片在基板上進(jìn)行并排或疊構(gòu)后組成功能系統(tǒng)后進(jìn)行封裝。而SOC則是將所需的組件高度集成在一塊芯片上進(jìn)行封裝。構(gòu)成SiP技術(shù)的要素是封裝載體與組裝工藝。山東SIP...

SiP 封裝優(yōu)勢(shì)。在IC封裝領(lǐng)域，是一種先進(jìn)的封裝，其內(nèi)涵豐富，優(yōu)點(diǎn)突出，已有若干重要突破，架構(gòu)上將芯片平面放置改為堆疊式封裝，使密度增加，性能較大程度上提高，表示著技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)，在多方面存在極大的優(yōu)勢(shì)特性，體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。SiP 實(shí)現(xiàn)是系統(tǒng)的集成。采用要給封裝體來(lái)完成一個(gè)系統(tǒng)目標(biāo)產(chǎn)品的全部互聯(lián)以及功能和性能參數(shù)，可同時(shí)利用引線鍵合與倒裝焊互連技術(shù)以及別的IC芯片堆疊等直接內(nèi)連技術(shù)，將多個(gè)IC芯片與分立有源和無(wú)源器件封裝在一個(gè)管殼內(nèi)。不同的芯片，排列方式，與不同內(nèi)部結(jié)合技術(shù)搭配，使SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合。吉林BGA封裝定制SIP優(yōu)點(diǎn)：1、高生產(chǎn)效率，通過(guò)SIP里整合分離被動(dòng)元...

突破「微小化」競(jìng)爭(zhēng)格局，憑借異質(zhì)整合微小化優(yōu)勢(shì)，系統(tǒng)級(jí)封裝能集成不同制程技術(shù)節(jié)點(diǎn) (technology node)，不同功能、不同供貨商，甚至是不同半導(dǎo)體原材料的組件，整體可為產(chǎn)品節(jié)省約30-40%的空間，也能依據(jù)需求客制模塊外型并一定程度簡(jiǎn)化系統(tǒng)主板設(shè)計(jì)，讓主板、天線及機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)整合上更加有彈性。同時(shí)，相較于IC制程的開發(fā)限制，系統(tǒng)整合模塊可以在系統(tǒng)等級(jí)功能就先進(jìn)行驗(yàn)證與認(rèn)證，加速終端產(chǎn)品開發(fā)，集中系統(tǒng)產(chǎn)品研發(fā)資源。 SiP技術(shù)是全球封測(cè)業(yè)者較看重的焦點(diǎn)，系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)的突破正在影響產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈、改變競(jìng)爭(zhēng)格局。云茂電子從Wi-Fi模塊產(chǎn)品就開始進(jìn)行布局、站穩(wěn)腳步，積累多年在射頻...

隨著科技的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷著一場(chǎng)由微型化和集成化驅(qū)動(dòng)的變革。系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package，簡(jiǎn)稱SiP）技術(shù)，作為這一變革的主要，正在引導(dǎo)著行業(yè)的發(fā)展。SiP技術(shù)通過(guò)將多個(gè)功能組件集成到一個(gè)封裝中，不只有效節(jié)省空間，實(shí)現(xiàn)更高的集成度，還提高了性能，這對(duì)于追求高性能和緊湊設(shè)計(jì)的現(xiàn)代電子產(chǎn)品至關(guān)重要。SiP被認(rèn)為是超越摩爾定律的必然選擇。什么是SiP技術(shù)？SiP（System in Package）技術(shù)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，它允許將多個(gè)集成電路（IC）或者電子組件集成到一個(gè)單一的封裝中。這種技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)不同功能組件的物理集成，而這些組件可能是用不同的制造工藝制造的。SiP...

SiP 封裝優(yōu)勢(shì)：1）封裝面積增大，SiP在同一個(gè)封裝種疊加兩個(gè)或者多個(gè)芯片。把垂直方向的空間利用起來(lái)，同時(shí)不必增加引出管腳，芯片疊裝在同一個(gè)殼體內(nèi)，整體封裝面積較大程度上減少。2）采用超薄的芯片堆疊與TSV技術(shù)使得多層芯片的堆疊封裝體積減小，先進(jìn)的封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)多層芯片堆疊厚度。3）所有元件在一個(gè)封裝殼體內(nèi)，縮短了電路連接，見笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。提高了光，電等信號(hào)的性能。4）SiP 可將不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多種材料進(jìn)行組合進(jìn)行一體化封裝。通信SiP在無(wú)線通信領(lǐng)域的應(yīng)用較早，也是應(yīng)用較為普遍的領(lǐng)域。重慶BGA封裝工藝SiP芯片成品的制...

光電器件、MEMS 等特殊工藝器件的微小化也將大量應(yīng)用 SiP 工藝。SiP 發(fā)展的難點(diǎn)隨著 SiP 市場(chǎng)需求的增加，SiP 封裝行業(yè)的痛點(diǎn)也開始凸顯，例如無(wú) SiP 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，缺少內(nèi)部裸片資源，SiP 研發(fā)和量產(chǎn)困難，SiP 模塊和封裝設(shè)計(jì)有難度。由于 SiP 模組中集成了眾多器件，假設(shè)每道工序良率有一點(diǎn)損失，疊乘后，整個(gè)模組的良率損失則會(huì)變得巨大，這對(duì)封裝工藝提出了非常高的要求。并且 SiP 技術(shù)尚屬初級(jí)階段，雖有大量產(chǎn)品采用了 SiP 技術(shù)，不過(guò)其封裝的技術(shù)含量不高，系統(tǒng)的構(gòu)成與在 PCB 上的系統(tǒng)集成相似，無(wú)非是采用了未經(jīng)封裝的芯片通過(guò) COB 技術(shù)與無(wú)源器件組合在一起，系統(tǒng)內(nèi)的多數(shù)無(wú)...

植入錫球的BGA封裝：① 植球，焊錫球用于高可靠性產(chǎn)品（汽車電子）等的倒裝芯片連接，使用的錫球大多為普通的共晶錫料。植入錫球的BGA封裝，工藝流程：使用焊錫球吸附夾具對(duì)焊錫球進(jìn)行真空吸附，該夾具將封裝引腳的位置與裝有焊錫球的槽對(duì)齊，通過(guò)在預(yù)先涂有助焊劑的封裝基板的引腳位置植入錫球來(lái)實(shí)現(xiàn)。SIP：1、定義，SIP（System In Package）是將具有各種特定功能的LSI封裝到一個(gè)封裝中。而系統(tǒng)LSI是將單一的SoC（System on Chip）集成到一個(gè)芯片中。2、Sip封裝類型：① 通過(guò)引線縫合的芯片疊層封裝，② 充分利用倒裝焊技術(shù)的3D封裝。在當(dāng)前時(shí)代，Sip系統(tǒng)級(jí)封裝（Syste...

SiP封裝工藝介紹，SiP封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進(jìn)行排列組裝，若就排列方式進(jìn)行區(qū)分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結(jié)構(gòu)。相對(duì)于2D封裝，采用堆疊的3D封裝技術(shù)又可以增加使用晶圓或模塊的數(shù)量，從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數(shù)，進(jìn)一步增強(qiáng)SiP技術(shù)的功能整合能力。而內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純的線鍵合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先進(jìn)的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介層）將裸晶通過(guò)TSV（硅穿孔工藝）與基板結(jié)合。SiP封裝基板半導(dǎo)體芯片封裝基板是封裝測(cè)試環(huán)境的關(guān)鍵載體。山東陶瓷封裝方案3D SIP。3D封裝...

應(yīng)用領(lǐng)域，SiP技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍，包括但不限于：智能手機(jī)和平板電腦：SiP技術(shù)使得這些設(shè)備能夠在有限的空間內(nèi)集成更多的功能，如高性能處理器、內(nèi)存和傳感器?？纱┐髟O(shè)備：支持可穿戴設(shè)備的小型化設(shè)計(jì)，同時(shí)集成必要的傳感器和處理能力。物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備：為IoT設(shè)備提供了一種高效的方式來(lái)集成通信模塊、處理器和其他傳感器。汽車電子：隨著汽車逐漸變得“更智能”，SiP技術(shù)在汽車電子中的應(yīng)用也在增加，用于控制系統(tǒng)、導(dǎo)航和安全特性等。盡管SiP技術(shù)有許多優(yōu)勢(shì)，但也面臨一些挑戰(zhàn)：熱管理：多個(gè)功率密集型組件集成在一起可能導(dǎo)致熱量積聚。設(shè)計(jì)復(fù)雜性：設(shè)計(jì)一個(gè)SiP需要多學(xué)科的知識(shí)，包括電子、機(jī)械和熱學(xué)。測(cè)試和...

SIP工藝解析：裝配焊料球，目前業(yè)內(nèi)采用的植球方法有兩種：“錫膏”+“錫球”和“助焊膏”+“錫球”。(1)“錫膏”+“錫球”，具體做法就是先把錫膏印刷到BGA的焊盤上，再用植球機(jī)或絲網(wǎng)印刷在上面加上一定大小的錫球。(2)“助焊膏”+“錫球”，“助焊膏”+“錫球”是用助焊膏來(lái)代替錫膏的角色。分離，為了提高生產(chǎn)效率和節(jié)約材料，大多數(shù)SIP的組裝工作都是以陣列組合的方式進(jìn)行，在完成模塑與測(cè)試工序以后進(jìn)行劃分，分割成為單個(gè)的器件。劃分分割主要采用沖壓工藝。SiP技術(shù)是一項(xiàng)先進(jìn)的系統(tǒng)集成和封裝技術(shù)，與其它封裝技術(shù)相比較，SiP技術(shù)具有一系列獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。湖北BGA封裝哪家好除了2D和3D的封裝結(jié)構(gòu)外，...

SIP優(yōu)點(diǎn)：1、高生產(chǎn)效率，通過(guò)SIP里整合分離被動(dòng)元件，降低不良率，從而提高整體產(chǎn)品的成品率。模組采用高階的IC封裝工藝，減少系統(tǒng)故障率。2、簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，SIP將復(fù)雜的電路融入模組中，降低PCB電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。SIP模組提供快速更換功能，讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員輕易加入所需功能。3、成本低，SIP模組價(jià)格雖比單個(gè)零件昂貴，然而PCB空間縮小，低故障率、低測(cè)試成本及簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，使總體成本減少。4、簡(jiǎn)化系統(tǒng)測(cè)試，SIP模組出貨前已經(jīng)過(guò)測(cè)試，減少整機(jī)系統(tǒng)測(cè)試時(shí)間。微晶片的減薄化是SiP增長(zhǎng)面對(duì)的重要技術(shù)挑戰(zhàn)。重慶系統(tǒng)級(jí)封裝廠家晶圓級(jí)封裝（WLP）：1、定義，在晶圓原有狀態(tài)下重新布線，然后用樹脂密封，再...

3D封裝結(jié)構(gòu)的主要優(yōu)點(diǎn)是使數(shù)據(jù)傳輸率更高。對(duì)于具有 GHz 級(jí)信號(hào)傳輸?shù)母咝阅軕?yīng)用，導(dǎo)體損耗和介電損耗會(huì)引起信號(hào)衰減，并導(dǎo)致低壓差分信號(hào)中的眼圖不清晰。信號(hào)走線設(shè)計(jì)的足夠?qū)捯缘窒鸊Hz傳輸?shù)募w效應(yīng)，但走線的物理尺寸，包括橫截面尺寸和介電層厚度都要精確制作，以更好的與spice模型模擬相互匹配。另一方面，晶圓工藝的進(jìn)步伴隨著主要電壓較低的器件，這導(dǎo)致噪聲容限更小，較終導(dǎo)致對(duì)噪聲的敏感性增加。散布在芯片上的倒裝凸塊可作為具有穩(wěn)定參考電壓電平的先進(jìn)芯片的穩(wěn)定電源傳輸系統(tǒng)。SiP技術(shù)路線表明，越來(lái)越多的半導(dǎo)體芯片和封裝將彼此堆疊，以實(shí)現(xiàn)更深層次的3D封裝。安徽SIP封裝方案封裝（Package），是...

隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代越來(lái)越深入人心，不斷的開發(fā)和研究有助于使SiP更接近SoC，降低成本，減少批量要求和初始投資，并在系統(tǒng)簡(jiǎn)化方面呈現(xiàn)積極趨勢(shì)。此外，制造越來(lái)越大的單片SoC的推動(dòng)力開始在設(shè)計(jì)驗(yàn)證和可制造性方面遇到障礙，因?yàn)閾碛懈蟮男酒瑫?huì)導(dǎo)致更大的故障概率，從而造成更大的硅晶圓損失。從IP方面來(lái)看，SiP是SoC的未來(lái)替代品，因?yàn)樗鼈兛梢约奢^新的標(biāo)準(zhǔn)和協(xié)議，而無(wú)需重新設(shè)計(jì)。此外，SiP方法允許更快、更節(jié)能的通信和電力輸送，這是在考慮Si應(yīng)用的長(zhǎng)期前景時(shí)另一個(gè)令人鼓舞的因素。隨著SiP模塊成本的降低，且制造工藝效率和成熟度的提高。山西WLCSP封裝型式系統(tǒng)級(jí)封裝的簡(jiǎn)短歷史，在1980年代，SiP以...

合封芯片的功能，性能提升，合封芯片：通過(guò)將多個(gè)芯片或模塊封裝在一起，合封芯片可以明顯提高數(shù)據(jù)處理速度和效率。由于芯片之間的連接更緊密，數(shù)據(jù)傳輸速度更快，從而提高了整體性能。穩(wěn)定性增強(qiáng)，合封芯片：由于多個(gè)芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，合封芯片可以減少故障率。功耗降低、開發(fā)簡(jiǎn)單，合封芯片：由于多個(gè)芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以降低整個(gè)系統(tǒng)的功耗。此外，通過(guò)優(yōu)化內(nèi)部連接和布局，可以進(jìn)一步降低功耗。防抄襲，多個(gè)芯片和元器件模塊等合封在一起，就算被采購(gòu)，也無(wú)法模仿抄襲。SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動(dòng)組件SMT及塑封技術(shù)。上海IPM封裝方案失效...

系統(tǒng)級(jí)封裝的優(yōu)勢(shì)，SiP和SoC之間的主要區(qū)別在于，SoC 將所需的每個(gè)組件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用異構(gòu)組件并將它們連接到一個(gè)或多個(gè)芯片載波封裝中。例如，SoC將CPU，GPU，內(nèi)存接口，HDD和USB連接，RAM / ROM和/或其控制器集成到單個(gè)芯片上，然后將其封裝到單個(gè)芯片中。相比之下，等效的SiP將采用來(lái)自不同工藝節(jié)點(diǎn)（CMOS，SiGe，功率器件）的單獨(dú)芯片，將它們連接并組合成單個(gè)封裝到單個(gè)基板（PCB）上?？紤]到這一點(diǎn)，很容易看出，與類似的SoC相比，SiP的集成度較低，因此SiP的采用速度很慢。然而，較近，2.5D 和 3D IC、倒裝芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的進(jìn)步為使用 ...

SiP 可以將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無(wú)源器件，諸如 MEMS 或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件，形成一個(gè)系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。這么看來(lái)，SiP 和 SoC 極為相似，兩者的區(qū)別是什么？能較大限度地優(yōu)化系統(tǒng)性能、避免重復(fù)封裝、縮短開發(fā)周期、降低成本、提高集成度。對(duì)比 SoC，SiP 具有靈活度高、集成度高、設(shè)計(jì)周期短、開發(fā)成本低、容易進(jìn)入等特點(diǎn)。而 SoC 發(fā)展至今，除了面臨諸如技術(shù)瓶頸高、CMOS、DRAM、GaAs、SiGe 等不同制程整合不易、生產(chǎn)良率低等技術(shù)挑戰(zhàn)尚待克服外，現(xiàn)階段 SoC 生產(chǎn)成本高，以及其所需研發(fā)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)等因素，都造成 SoC ...